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Mg2X(X는 Si 이거나, X는 Si 와 Sn, Ge, Pb 중에서 선택된 원소가 혼합된 혼합 원소)로 구성된 Mg-Si계 열전재료로 형성된 열전재료층과; 상기 열전재료층 양면에 형성되고, 천이금속 또는 알루미늄 중 하나의 원소로 구성된 전극재료로 형성된 전극재층과; 상기 열전재료층과 상기 전극재층 사이에 형성되고, 열전재료와 전극재료를 혼합하여 형성시키되, 열전재료;전극재료의 혼합비는 몰비로 9;1 ~ 1;9가 되도록 하여 형성시킨 버퍼층;을 포함하여 구성되어, 상기 열전재료층에 전극재층을 접합시키되, 10 ~ 500 ㎫의 압력으로 가압하고 열처리하되, 상기 열처리는,600℃ ~ 900℃ 온도까지 온도를 상승시킨 후 10 ~ 500 ㎫의 압력으로 가압하고 10분 ~ 300분 동안 소결시키는 1차 열처리과정과;상기 1차 열처리과정 후에 압력을 해제하고, 상기 1차 열처리과정보다 상대적으로 낮은 온도로 온도를 하강시켜, 2차로 열처리시키는 2차 열처리 과정과;상기 2차 열처리 과정 후에 온도를 상온까지 냉각시키는 냉각과정;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 버퍼층이 형성된 Mg-Si계 열전소자
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Mg2X(X는 Si 이거나, X는 Si 와 Sn, Ge, Pb 중에서 선택된 원소가 혼합된 혼합 원소)로 구성된 Mg-Si계 열전재료로 형성된 열전재료층과; 상기 열전재료층 양면에 형성되고, 천이금속 또는 알루미늄 중 하나의 원소로 구성된 전극재료로 형성된 전극재층과; 상기 열전재료층과 상기 전극재층 사이에 형성되고, 열전재료와 전극재료를 혼합하여 형성시키되, 열전재료;전극재료의 혼합비는 몰비로 9;1 ~ 1;9가 되도록 하여 형성시킨 버퍼층;을 포함하여 구성되어, 상기 열전재료층에 전극재층을 접합시키되, 10 ~ 500 ㎫의 압력으로 가압하고 열처리하되,상기 열처리는, 600℃ ~ 900℃ 온도까지 온도를 상승시킨 후 10 ~ 500 ㎫의 압력으로 가압하고 10분 ~ 300분 동안 소결시키는 1차 열처리과정과;상기 1차 열처리과정 후에 압력을 해제하고, 상기 1차 열처리과정보다 상대적으로 낮은 온도로 온도를 하강시켜, 2차로 열처리시키는 2차 열처리 과정과;상기 2차 열처리 과정 후에 온도를 상기 2차 열차리 과정의 온도보다 상대적으로 높은 온도로 가열시키는 가열과정과; 상기 가열과정 후에 온도를 상온까지 냉각시키는 냉각과정;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 버퍼층이 형성된 Mg-Si계 열전소자
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 천이금속은 Ni, Cu, Co, Fe, Cu, Mn, Cr, V, Ti 중 하나가 됨을 특징으로 하는 버퍼층이 형성된 Mg-Si계 열전소자
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