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미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법, 이에 의해 제조되는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드, 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015163720
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PDMS나 자외선 경화 수지를 사용하여 제조한 종래의 고분자 몰드가 가지는 문제점을 해결할 수 있는 새로운 재질의 고분자 몰드 및 그 제조 방법을 제공하는데 주된 목적이 있는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판에 전사하고자 할 나노 또는 마이크로 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제공하는 공정; 상기 패턴이 형성된 마스터 몰드의 표면에 PVA 수용액을 도포한 후 경화시켜 PVA 몰드층을 형성하는 공정; 상기 PVA 몰드층에 접합층을 개재한 상태로 몰드 베이스층을 적층 형성하는 공정; 및 상기 마스터 몰드를 분리하여 PVA 몰드층 및 접합층, 몰드 베이스층으로 이루어진 일체의 고분자 몰드를 완성하는 공정;을 포함하는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL B29C 33/42 (2006.01) B29C 59/02 (2006.01)
CPC B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01)
출원번호/일자 1020120062344 (2012.06.11)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1416625-0000 (2014.07.02)
공개번호/일자 10-2013-0138609 (2013.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성일 대한민국 경상남도 김해시
2 김판겸 대한민국 경상남도 밀양시 시청로
3 권영우 대한민국 경상남도 밀양시 미
4 오현석 대한민국 경상남도 밀양시 점필재로
5 전정우 대한민국 경상남도 밀양시 미
6 이지웅 대한민국 경상남도 밀양시
7 최찬규 대한민국 충청남도 아산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0463745-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-2013-0011549-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0565494-69
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0936273-31
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1049549-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1163522-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0054936-95
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0054939-21
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0280306-88
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0487854-83
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0487853-37
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0387274-35
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
15 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 전사하고자 할 나노 또는 마이크로 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제공하는 공정; 상기 패턴이 형성된 마스터 몰드의 표면에 PVA 수용액을 도포한 후 경화시키되, 상기 PVA 수용액을 70 ~ 90 ℃의 온도 범위에서의 열처리를 통해 경화시켜 PVA 몰드층을 형성하는 공정; 상기 PVA 몰드층에 접합층을 개재한 상태로 몰드 베이스층을 적층 형성하되, 상기 접합층으로서 프라이머층을 도포한 몰드 베이스용 필름을 상기 PVA 몰드층에 부착하는 공정; 상기 마스터 몰드를 분리한 이후에, PVA 몰드층의 경도를 높이면서 몰드 베이스층을 형성하는 몰드 베이스용 필름이 상기 프라이머층에 의해 PVA 몰드층에 접착 고정된 상태가 되도록 몰드 베이스층이 적층된 PVA 몰드층을 130 ~ 150 ℃의 온도 범위에서 열처리하여, PVA 몰드층 및 접합층, 몰드 베이스층으로 이루어진 일체의 고분자 몰드를 완성하는 공정;을 포함하는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 패턴이 형성된 마스터 몰드의 표면에 PVA 수용액을 도포하는 방법으로는 스핀(spin) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 액침(dip) 코팅, 및 스프레이(spray) 코팅의 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
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5 5
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6 6
청구항 1에 있어서,상기 PVA 몰드층에 몰드 베이스층을 적층 형성함에 있어, 접합층으로서 실리콘 점착층을 부착한 몰드 베이스용 필름을 상기 PVA 몰드층에 부착하여, 몰드 베이스층을 형성하는 몰드 베이스용 필름이 상기 실리콘 점착층에 의해 PVA 몰드층에 점착된 상태가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
기판에 전사하고자 할 나노 또는 마이크로 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제공하는 공정; 상기 패턴이 형성된 마스터 몰드의 표면에 PVA 수용액을 도포한 후 경화시키되, 상기 PVA 수용액을 70 ~ 90 ℃의 온도 범위에서의 열처리를 통해 경화시켜 PVA 몰드층을 형성하는 공정; 상기 PVA 몰드층에 접합층을 개재한 상태로 몰드 베이스층을 적층 형성하되, 상기 접합층으로서 프라이머층을 도포한 몰드 베이스용 필름을 상기 PVA 몰드층에 부착하는 공정; 상기 마스터 몰드를 분리한 이후에, PVA 몰드층의 경도를 높이면서 몰드 베이스층을 형성하는 몰드 베이스용 필름이 상기 프라이머층에 의해 PVA 몰드층에 접착 고정된 상태가 되도록 몰드 베이스층이 부착된 PVA 몰드층을 130 ~ 150 ℃의 온도 범위에서 열처리하여, PVA 몰드층 및 접합층, 몰드 베이스층으로 이루어진 일체의 고분자 몰드를 완성하는 공정;상기 고분자 몰드의 패턴이 형성된 표면 또는 기판에 패턴 전사용 수지를 도포하는 공정;상기 패턴 전사용 수지에 고분자 몰드의 패턴이 전사되도록 고분자 몰드와 기판을 접합한 뒤 자외선 또는 열에 의해 패턴 전사용 수지를 경화시키는 공정; 및상기 고분자 몰드로부터 나노 또는 마이크로 패턴이 전사된 패턴 전사용 수지층을 갖는 상기 기판을 이형시키는 공정;을 포함하는 미세 패턴 형성 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 패턴 전사용 수지를 도포하는 방법으로는 스핀(spin) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 액침(dip) 코팅, 및 스프레이(spray) 코팅의 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
10 10
삭제
11 11
청구항 8에 있어서,상기 고분자 몰드로부터 패턴이 전사된 패턴 전사용 수지층을 갖는 상기 기판을 이형시키는 과정에서, 실리콘 점착층이 부착된 몰드 베이스용 필름을 PVA 몰드층으로부터 분리하여 제거한 뒤, 이어 PVA 몰드층을 패턴 전사용 수지층으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 PVA 몰드층을 팽윤 공정에 의해 기판 위의 패턴 전사용 수지층으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.