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도파관 내의 피가열물로 마이크로웨이브를 진행시키되, 고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비된 파장 조절기에 의해 상기 도파관 내의 줄어든 공간(이하, '파장 조절 공간'이라 칭함)으로 마이크로웨이브를 진행시키며, 상기 파장 조절 공간으로 진행하는 마이크로웨이브의 파장이 차단 근접 조건에 따라 상기 파장 조절 공간으로 진입하기 전의 파장보다 일정 배수 이상으로 길어지는 효과를 이용하고,상기 도파관의 한쪽 입구에서 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시켜, 상기 파장 조절 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 가열 방법
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피가열물을 넣기 위한 도파관; 및고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비되는 파장 조절기를 포함하고,상기 파장 조절기는, 상기 도파관의 길이 방향으로 진행하는 마이크로웨이브가 지나가는 폭방향 공간을 줄여주어 상기 도파관 내의 줄어든 공간(이하, '파장 조절 공간'이라 칭함)으로 진행하는 마이크로웨이브의 파장을 차단 근접 조건에 따라 일정 배수 이상으로 길게 해 주며,상기 도파관의 한쪽 입구에서 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시켜, 상기 파장 조절 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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길이 방향으로 진행하는 마이크로웨이브가 지나가는 폭방향 공간을 줄여주기 위해 한쪽 벽에 돌출 부분을 가지며, 상기 돌출 부분과 반대쪽 벽 사이의 파장 조절 공간 내에 피가열물을 넣기 위한 도파관을 포함하되,상기 도파관 내의 상기 파장 조절 공간으로 진행하는 상기 마이크로웨이브의 파장이 차단 근접 조건에 따라 일정 배수 이상으로 길어지는 효과를 이용하며,상기 도파관의 한쪽 입구에서 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시켜, 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 파장 조절 공간 상에서 길어진 상기 마이크로웨이브의 파장에 의해 상기 피가열물의 길이방향 위치별 가열 균일도를 높이기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 파장 조절 공간 상에서 상기 파장이 마이크로웨이브의 종류에 따라 1
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제2항에 있어서,마이크로웨이브의 반사를 줄이며 마이크로웨이브의 전달성을 높이기 위하여, 상기 파장 조절기는, 길이 방향 앞 또는 뒤에 폭방향 공간을 점차로 줄여주기 위한 경사진 면 형태의 매칭 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제3항에 있어서,마이크로웨이브의 반사를 줄이며 마이크로웨이브의 전달성을 높이기 위하여, 상기 돌출 부분은 길이 방향 앞 또는 뒤에 폭방향 공간을 점차로 줄여주기 위한 경사진 면 형태의 매칭 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항에 있어서,상기 파장 조절기는, 측면에 부착된 위치 조절 수단을 포함하며,수동으로 또는 기계적 장치를 이용해 상기 위치 조절 수단을 밀거나 당겨서 상기 파장 조절기를 폭방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 도파관 내부로 통하도록 형성된 입력슬릿과 출력슬릿을 포함하며, 수동으로 또는 기계적 장치를 이용해 상기 입력슬릿으로 상기 피가열물을 밀어넣고 상기 도파관 내에서 가열된 상기 피가열물을 상기 출력슬릿을 통해 배출하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제9항에 있어서,기계적 장치를 이용해 자동으로 롤(roll) 형태의 상기 피가열물을 상기 입력슬릿으로 일정 길이씩 밀어넣고 가열조건에 따라 일정 시간 동안 상기 도파관 내에서 가열한 상기 피가열물을 상기 출력슬릿을 통해 배출하는 방식으로 자동 작동하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/8 이하의 두께를 갖는 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 피가열물은 기질에 코팅된 도전체를 포함하는 판형, 필름 또는 쉬트 형태로서 코팅된 상기 도전체의 부착성 향상을 위해 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 피가열물은 기질에 코팅된 도전체를 포함하는 판형, 필름 또는 쉬트 형태로서, 상기 도전체는 패턴된 라인들을 포함하거나 패턴된 라인들 없이 상기 기질 상에 코팅된 형태인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 피가열물은 기질에 코팅된 도전체를 포함하는 판형, 필름 또는 쉬트 형태로서, 상기 도전체는 나노카본계 소재, 나노금속계 소재, 나노카본과 금속산화물의 하이브리드 소재 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 피가열물은 기질에 코팅된 도전체를 포함하는 판형, 필름 또는 쉬트 형태로서, 상기 기질은 폴리에스터계 고분자, 폴리카보네이트계 고분자, 폴리에테르설폰계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계 고분자 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 피가열물은 소정의 이송 수단 위에 놓인 분말형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,마이크로웨이브를 발생하는 마이크로웨이브 발생기;상기 마이크로웨이브 발생기에서 생성되는 마이크로웨이브로부터 동일한 진폭과 주파수를 갖는 제1마이크로웨이브와 제2마이크로웨이브를 생성하는 분배기; 및상기 제2마이크로웨이브의 위상을 조절하기 위한 위상 변환기를 포함하고, 상기 분배기는 상기 제1마이크로웨이브를 상기 도파관의 한쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하고, 상기 위상 변환기는 상기 조절된 제2마이크로웨이브를 상기 도파관의 다른쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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18
제17항에 있어서,상기 위상 변환기는 상기 제2마이크로웨이브의 위상을 일정 범위에서 반복적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,제1마이크로웨이브를 발생하여 상기 도파관의 한쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 제1마이크로웨이브 발생기;제2마이크로웨이브를 발생하는 제2마이크로웨이브 발생기; 및상기 제2마이크로웨이브의 위상을 조절하여, 상기 조절된 제2마이크로웨이브를 상기 도파관의 다른쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 위상 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제19항에 있어서,상기 제1마이크로웨이브 발생기가 상기 제1마이크로웨이브의 진폭 또는 주파수를 변화시키거나, 상기 제2마이크로웨이브 발생기가 상기 제2마이크로웨이브의 진폭 또는 주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제19항에 있어서,상기 위상 변환기는 상기 제2마이크로웨이브의 위상을 일정 범위에서 반복적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,제1마이크로웨이브를 발생하여 상기 도파관의 한쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 제1마이크로웨이브 발생기; 및제2마이크로웨이브를 발생하여 상기 도파관의 다른쪽 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 제2마이크로웨이브 발생기를 포함하고,상기 제1마이크로웨이브 발생기가 상기 제1마이크로웨이브의 진폭 또는 주파수를 변화시키거나, 상기 제2마이크로웨이브 발생기가 상기 제2마이크로웨이브의 진폭 또는 주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제22항에 있어서,상기 제1마이크로웨이브 발생기가 상기 제1마이크로웨이브의 주파수를 일정 범위에서 반복적으로 변화시키거나, 상기 제2마이크로웨이브 발생기가 상기 제2마이크로웨이브의 주파수를 일정 범위에서 반복적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제2항 또는 제3항에 있어서,마이크로웨이브를 발생하여 상기 도파관의 입구를 통해 상기 파장 조절 공간을 향하여 입사하는 마이크로웨이브 발생기; 및상기 파장 조절 공간을 통과한 마이크로웨이브를 상기 파장 조절 공간 쪽으로 반사시키기 위한 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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제24항에 있어서,상기 마이크로웨이브 발생기가 발생하는 마이크로웨이브의 진폭 또는 주파수를 변화시키고,상기 파장 조절 공간 상에서 나온 마이크로웨이브를 상기 반사판에서 반사시켜 상기 파장 조절 공간 상의 상기 피가열물 쪽으로 다시 진행시킴으로써 상기 피가열물에서 마이크로웨이브 감쇠(attenuation) 전력의 차이를 보상하고 상기 피가열물의 위치별 가열 균일도를 높이기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
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