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리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015163731
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 표면을 리소그라피(lithography)를 이용하여 요(凹)부와 철(凸)부 모양의 패턴으로 패터닝 시킨 금속소재의 표면을 양극산화하고 식각하여 금속소재의 요(凹)부 부분에 관통된 직관통공을 형성시키는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법을 기술적 요지로 한다. 그리고 본 발명은 리소그라피(lithography)가 이용되어 표면이 요(凹)부와 철(凸)부 모양의 패턴으로 패터닝 된 금속소재와; 상기 금속소재의 표면을 양극산화시켜 상기 금속소재의 표면에 형성시킨 금속산화물막과; 상기 금속소재를 양극산화하여 금속소재의 요(凹)부 부분에 관통되게 형성시킨 직관통공을 포함하여 구성되는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 양극산화 나노다공질 산화물 세라믹 막에 우수한 기계적 성질을 부여함으로써, 취급이 용이할 뿐만 아니라, 고온이나 저온의 펄스 가스에 의한 역세 시 열 및 기계적 충격에 대한 저항성과 열팽창에 대한 저항성을 극도로 향상시켜, 대면적의 실제적인 장치에 적용할 수 있고, 다른 장치와의 연결성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Int. CL B01D 69/12 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) B01D 69/02 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01)
CPC B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01) B01D 69/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120111912 (2012.10.09)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1417991-0000 (2014.07.03)
공개번호/일자 10-2014-0045758 (2014.04.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.09)
심사청구항수 56

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정대영 대한민국 경남 창원시 성산구
2 김종욱 대한민국 경기 안산시 상록구
3 캐숙 주타마스 태국 경남 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0818867-72
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0898239-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0066568-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0833007-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0081226-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0081247-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0340646-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면을 리소그라피(lithography)를 이용하여 요(凹)부와 철(凸)부 모양의 패턴으로 패터닝시킨 금속소재의 표면을 양극산화하고 식각하여 금속소재의 요(凹)부 부분에 관통된 직관통공을 형성시킴을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속소재는 판재 또는 할로우 화이브 형상임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속소재는 밸브금속 또는 밸브금속합금임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 밸브금속은 Al, W, Ti, Ta, Hf, Nb, Zr 중 하나가 됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 밸브금속합금은 TiNb, TiZr, TiAl, TiAlNb 중 하나가 됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 금속소재는 밸브금속에 Cu, Mn, Si, Mg, Cr, Zn, Li, V, Mo, Ga, Ge, Fe, Cr, Co, Ni, C, O 원소들 중 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 금속소재는 Al, W, Ti, Ta, Hf, Nb, Zr로 구성된 그룹에서 두 가지 이상의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
8 8
제2항에 있어서, 상기 금속소재는 원형 또는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
9 9
제2항에 있어서, 상기 판재는 두께가 0
10 10
제2항에 있어서, 상기 할로우 화이브는 두께는 0
11 11
제1항에 있어서, 상기 요(凹)부는 원형 또는 다각형 형상임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 철(凸)부는 선 또는 띠 모양임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 요(凹)부의 크기는 10㎚2 ~ 10㎝2인 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
14 14
제1항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 요(凹)부와 철(凸)부는 금속소재의 일면 또는 양면에 형성됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 철(凸)부가 금속소재의 양면에 위치하는 경우 위치는 상호 대응되게 위치됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 금속소재는 양극산화 전에 용매를 사용하여 세정한 다음, 전해연마, 기계적, 화학적, 물리적 연마공정 중 하나 이상을 사용하여 표면거칠기를 1㎛ ~ 0
17 17
제1항에 있어서, 상기 금속소재는 철(凸)부 부분에 양극산화 방지코팅이 되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 양극산화는 전해질로서 0
19 19
제18항에 있어서, 상기 양극산화는 한 번 이상 진행됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 양극산화는 일차 양극산화 후 식각하여 양극산화된 부분을 제거하여 아래로 볼록한 패턴을 갖는 씨앗을 만든 다음, 다시 이차로 양극산화하여 직관통공을 형성시키는 이 단계 양극산화법을 사용하여 직관통공이 윗면과 아랫면에 뚫리도록 형성됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 직관통공은 직관통공의 확대 또는 균일화를 위해 식각공정이 진행됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
22 22
제1항에 있어서, 상기 양극산화는 전해질로서 0
23 23
제1항에 있어서, 상기 금속산화물 막에 산화물 세라믹, 금속촉매물질, 다이아몬드, 고분자 중합체 중 하나가 코팅됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 산화물 세라믹은 TiO2, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, Cr2O3, MoO3, Co3O4, Fe2O3, Mn3O4 중 어느 하나 이상이 포함됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
25 25
제23항에 있어서, 상기 금속촉매물질은 Pt, Pd, Au, Ag, Ir 중 어느 하나 이상이 포함됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
26 26
제23항 내지 제25항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 복합분리막은 단일 또는 복수개로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
27 27
제26항에 있어서, 상기 복합분리막은 하우징내에 등간격으로 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
28 28
제27항에 있어서, 상기 복합분리막은, 복합분리막에 형성된 직관통공의 직경이 일측에서 타측으로 가면서 상대적으로 줄어들게 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막 제조방법
29 29
리소그라피(lithography)가 이용되어 표면이 요(凹)부와 철(凸)부 모양의 패턴으로 패터닝 된 금속소재와;상기 금속소재의 표면을 양극산화시켜 상기 금속소재의 표면에 형성시킨 금속산화물막과;상기 금속소재를 양극산화하여 금속소재의 요(凹)부 부분에 관통되게 형성시킨 직관통공을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
30 30
제29항에 있어서, 상기 금속소재는 판재 또는 할로우 화이브 형상임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
31 31
제30항에 있어서, 상기 금속소재는 밸브금속 또는 밸브금속합금임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
32 32
제31항에 있어서, 상기 밸브금속은 Al, W, Ti, Ta, Hf, Nb, Zr 중 하나가 됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
33 33
제31항에 있어서, 상기 밸브금속합금은 TiNb, TiZr, TiAl, TiAlNb 중 하나가 됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
34 34
제30항에 있어서, 상기 금속소재는 밸브금속에 Cu, Mn, Si, Mg, Cr, Zn, Li, V, Mo, Ga, Ge, Fe, Cr, Co, Ni, C, O 원소들 중 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
35 35
제30항에 있어서, 상기 금속소재는 Al, W, Ti, Ta, Hf, Nb, Zr로 구성된 그룹에서 두 가지 이상의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
36 36
제30항에 있어서, 상기 금속소재는 원형 또는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
37 37
제30항에 있어서, 상기 판재는 두께가 0
38 38
제30항에 있어서, 상기 할로우 화이브는 두께는 0
39 39
제29항에 있어서, 상기 요(凹)부는 원형 또는 다각형 형상임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
40 40
제39항에 있어서, 상기 철(凸)부는 선 또는 띠 모양임을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
41 41
제40항에 있어서, 상기 요(凹)부의 크기는 10㎚2 ~ 10㎝2인 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
42 42
제29항 내지 제41항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 요(凹)부와 철(凸)부는 금속소재의 일면 또는 양면에 형성됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
43 43
제42항에 있어서, 상기 철(凸)부가 금속소재의 양면에 위치하는 경우 위치는 상호 대응되게 위치됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
44 44
제29항에 있어서, 상기 금속소재는 양극산화 전에 용매를 사용하여 세정한 다음, 전해연마, 기계적, 화학적, 물리적 연마공정 중 하나 이상을 사용하여 표면거칠기를 1㎛ ~ 0
45 45
제29항에 있어서, 상기 금속소재는 철(凸)부 부분에 양극산화 방지코팅이 되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
46 46
제29항에 있어서, 상기 양극산화는 전해질로서 0
47 47
제46항에 있어서, 상기 양극산화는 한 번 이상 진행됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
48 48
제47항에 있어서, 상기 양극산화는 일차 양극산화 후 식각하여 양극산화된 부분을 제거하여 아래로 볼록한 패턴을 갖는 씨앗을 만든 다음, 다시 이차로 양극산화하여 직관통공을 형성시키는 이 단계 양극산화법을 사용하여 직관통공이 윗면과 아랫면에 뚫리도록 형성됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
49 49
제46항에 있어서, 상기 직관통공은 직관통공의 확대 또는 균일화를 위해 식각공정이 진행됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
50 50
제29항에 있어서, 상기 양극산화는 전해질로서 0
51 51
제29항에 있어서, 상기 금속산화물 막에 산화물 세라믹, 금속촉매물질, 다이아몬드, 고분자 중합체 중 하나가 코팅됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
52 52
제51에 있어서, 상기 산화물 세라믹은 TiO2, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, Cr2O3, MoO3, Co3O4, Fe2O3, Mn3O4 중 어느 하나 이상이 포함됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
53 53
제51항에 있어서, 상기 금속촉매물질은 Pt, Pd, Au, Ag, Ir 중 어느 하나 이상이 포함됨을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
54 54
제51항 내지 제53항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 복합분리막은 단일 또는 복수개로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
55 55
제54항에 있어서, 상기 복합분리막은 하우징내에 등간격으로 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
56 56
제55항에 있어서, 상기 복합분리막은, 복합분리막에 형성된 직관통공의 직경이 일측에서 타측으로 가면서 상대적으로 줄어들게 설치되는 것을 특징으로 하는 리소그라피를 이용하여 요철 패터닝 된 금속을 이용한 금속지지층과 금속산화물 막으로 형성된 복합분리막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.