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MEMS 공정을 이용한 진공전자소자의 2단계 격자회로 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015163743
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공전자소자(또는 저속파 회로)의 2단계 금속 격자회로를 제작하는 방법에 관한 것으로서, 격자회로의 음각틀로 사용되는 실리콘 웨이퍼 기판은 Cu-Cu 웨이퍼 접합 기술을 이용하거나 단일 웨이퍼로서 제작하고, 격자회로의 패턴은 사진 식각 공정을 이용하여 제작하며, 격자회로의 높이는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 활용하여 2단계 격자회로를 제작함으로써, 높은 제작 정밀도, 높은 생산성 및 저렴한 가공 비용을 동시에 확보할 수 있는 진공전자소자(또는 저속파 회로)를 제공할 수 있다.
Int. CL H01J 25/34 (2006.01) H01J 23/24 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01)
CPC H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01) H01J 25/34(2013.01)
출원번호/일자 1020120085895 (2012.08.06)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1338010-0000 (2013.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김정일 대한민국 경기 안산시 상록구
3 김근주 대한민국 경기 안산시 상록구
4 전석기 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0627583-86
2 등록결정서
Decision to grant
2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0609753-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
진공전자소자의 금속 격자 회로를 제작하는 방법에 있어서,실리콘 기판을 식각하여 단면이 직사각형을 갖는 일정 간격의 실리콘 격자들을 형성하는 단계;상기 실리콘 격자들 사이와 그 상단면 이상 일정 높이까지 금속 물질을 형성하는 단계;상기 금속 물질이 형성된 면을 연마하여 평탄화하고 그 위에 금속판을 접합하는 단계;상기 금속 물질로 이루어지는 금속 격자들이 일정 높이가 되도록 상기 기판 하부 쪽을 연마하여 제거하는 단계;상기 금속 격자들이 포함된 구조물의 일측 에지면을 절단하여 상기 금속 격자들 중 한쪽 끝의 일부는 나머지 격자들 보다 높이를 작게 만드는 커플링 영역 형성 단계; 및상기 금속 격자들 사이에 남아 있는 실리콘을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 커플링 영역의 형성 없이 상기 금속 격자들이 포함된 구조물에서 금속 격자들 사이에 남아 있는 실리콘을 식각하여 만든 제1금속 격자 회로와, 상기 커플링 영역의 형성 후 금속 격자들 사이에 남아 있는 실리콘을 식각하여 만든 제2금속 격자 회로를, 상기 커플링 영역에서 결합되도록 2단으로 직렬 결합하여 진공전자소자를 제작하기 위한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제2항에 있어서, 전자총에서 발생한 전자빔을 제1금속 격자 회로와 상기 제2금속 격자 회로의 상부로 진행시켜 상기 금속 격자들 표면 위로 전기장을 형성하고, 형성된 전기장과 상기 전자빔과의 상호작용으로 발생하는 전자기파를 상기 제2금속 격자 회로의 상기 커플링 영역 하부로 상기 금속판에 형성된 구멍 형태의 출력부를 통해 출력하기 위한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 격자들을 형성하는 단계에서,산화막층과 금속층을 각각 형성한 상부 실리콘 기판과 하부 실리콘 기판을 상기 금속층이 서로 접촉되도록 접합한 후, 상기 상부 실리콘 기판을 건식 식각 방식으로 상기 산화막층이 드러날 때까지 식각하고, 드러난 상기 산화막층은 습식 식각 방식으로 식각하여 상기 실리콘 격자들 사이에 금속층이 드러나도록 형성한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속 물질을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 격자들 사이의 금속층을 이용하여 전해 도금법으로 상기 상부 실리콘 기판의 최상단 높이 이상까지 도금한 후, 전면에 진공 증착 방식으로 금속층을 형성하고 그 위에 전해 도금법으로 재차 금속을 도금하여 상기 금속 물질을 형성한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 격자들을 형성하는 단계에서, 하나의 실리콘 기판을 건식 식각 방식으로 식각하여 상기 실리콘 격자들을 형성하며,상기 금속 물질을 형성하는 단계에서, 진공 증착 방식으로 상기 실리콘 격자들 상단면과 그 사이의 벽, 및 바닥에 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 이용하여 전해 도금법으로 상기 기판의 최상단 높이를 초과하여 일정 높이까지 금속을 도금하여 상기 금속 물질을 형성한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 건식 식각 방식은 DRIE(Deep Reactive Ion etching) 방식인 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제2항에 있어서,상기 제1금속 격자 회로와 상기 제2금속 격자 회로의 상부에 배치된 상부 금속 격자회로를 더 포함하고, 상기 상부 금속 격자회로의 일부 금속 격자들의 끝면이 상기 제1금속 격자 회로의 금속 격자들의 끝면과 서로 마주보도록 배치되며, 상기 상부 금속 격자회로의 다른 부분의 금속 격자들의 끝면이 상기 제2금속 격자 회로의 금속 격자들의 끝면과 서로 마주보도록 배치되는 직각 도파관 구조를 적용한 진공전자소자를 제작하기 위한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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제2항에 있어서,상기 제1금속 격자 회로와 상기 제2금속 격자 회로의 상부에 배치된 상부 금속 격자회로를 더 포함하고, 상기 상부 금속 격자회로의 일부 금속 격자들의 끝면이 상기 제1금속 격자 회로의 금속 격자들 사이의 이격 공간을 향하도록 배치되며, 상기 상부 금속 격자회로의 다른 부분의 금속 격자들의 끝면이 상기 제2금속 격자 회로의 금속 격자들 사이의 이격 공간을 향하도록 배치되는 직각 도파관 구조를 적용한 진공전자소자를 제작하기 위한 것을 특징으로 하는 금속 격자 회로를 제작하는 방법
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