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트렌치 게이트 구조를 갖는 SiC MOSFET의 제조방법에 있어서,트렌치 식각을 위한 트렌치 식각 마스크를 형성하고, SiC 기판에 트렌치를 식각하는 제 1단계와;상기 트렌치 식각 마스크를 활용하고, 트렌치 하부 방향에 SiC 기판에 수직인 방향으로 바나듐을 이온주입하는 제 2단계와;상기 트렌치 식각마스크를 활용하고, SiC 기판의 수직방향에서 α°각도만큼 기울어지게 트렌치 측벽에 질소를 이온주입하는 제 3단계; 및, 게이트 절연막을 형성하고, 트렌치에 전도성 물질을 채워넣어 트렌치 게이트 구조를 형성시키는 제 4단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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트렌치 게이트 구조를 갖는 SiC MOSFET의 제조방법에 있어서,트렌치 식각을 위한 트렌치 식각 마스크를 형성하고, SiC 기판에 트렌치를 식각하는 제 1단계와;상기 트렌치 식각마스크를 활용하고, SiC 기판의 수직방향에서 α°각도만큼 기울어지게 트렌치 측벽에 질소를 이온주입하는 제 2단계와;상기 트렌치 식각 마스크를 활용하고, 트렌치 하부 방향에 SiC 기판에 수직인 방향으로 바나듐을 이온주입하는 제 3단계; 및, 게이트 절연막을 형성하고, 트렌치에 전도성 물질을 채워넣어 트렌치 게이트 구조를 형성시키는 제 4단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바나듐을 이온 주입할 때 이온주입 에너지를 300 KeV ~ 1 MeV, 이온주입량(dose)을 1 x 1012 ~ 1 x 1013 /cm2 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 질소를 이온 주입할 때 기울임 각도 α를 5 ~ 30o , 이온주입 에너지를 20 ~ 100 KeV, 이온주입량은 5 x 1012 ~ 5 x 1013 /cm2 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바나듐과 질소의 이온주입이 완료된 후 1500 ~ 1700℃의 온도에서 10분 ~ 1시간 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 바나듐과 질소의 이온주입이 완료된 후, 트렌치 측벽 및 바닥면의 손상층을 제거시키는 희생산화막 성장 및 제거과정을 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET 제조방법
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트렌치 게이트 구조를 갖는 SiC MOSFET에 있어서,SiC 기판에 형성된 트렌치에 바나듐 및 질소를 이온 주입하여, 바나듐 이온 주입에 의하여 트렌치 하부에 전자차폐영역이 형성되고, 질소 이온 주입에 의해 트렌치 측벽 및 트렌치 바닥면에 질소가 이온 주입된 트렌치 측벽 및 질소가 이온주입된 트렌치 바닥면이 각각 형성됨을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET
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제7항에 있어서, 상기 바나듐을 이온 주입할 때 이온주입 에너지를 300KeV ~ 1 MeV, 이온주입량(dose)을 1 x 1012 ~ 1 x 1013 /cm2 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET
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제7항에 있어서, 상기 질소를 이온 주입할 때 기울임 각도 α를 5 ~ 30o , 이온주입 에너지를 20 ~ 100 KeV, 이온주입량은 5 x 1012 ~ 5 x 1013 /cm2 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET
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제7항에 있어서, 상기 바나듐과 질소의 이온주입이 완료된 후 1500 ~ 1700℃의 온도에서 10분 ~ 1시간 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET
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제7항에 있어서, 상기 바나듐과 질소의 이온주입이 완료된 후, 트렌치 측벽 및 바닥면의 손상층을 제거시키는 희생산화막 성장 및 제거과정을 실시하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 갖는 SiC MOSFET
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