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산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법

  • 기술번호 : KST2015163768
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법에 관한 것으로, 수산화칼륨, 과산화나트륨, 과산화칼륨으로 구성된 에천트를 도가니에 수용시키는 제1단계와; 상기 제1단계의 에천트를 가열로내에서 용융시키는 제2단계와; 상기 제2단계를 거친 용융된 에천트에 고농도 실리콘 카바이드 기판을 침지시켜 450℃ 내지 660℃의 온도에서 에칭시키는 제3단계; 및 상기 제3단계에서 에칭된 실리콘 카바이드를 냉각시키고 세척하는 제4단계;를 포함하여 구성되는 산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 수산화칼륨 염에, 불안전한 구조를 가지면서 에천트에 산소를 원활히 공급할 수 있는 물질인 과산화나트륨(sodium peroxide, Na2O2)과 과산화칼륨(potassium superoxide, KO2)염을 혼합하여 에천트를 형성시키고, 이를 이용하여 고농도 도핑된 실리콘 카바이드의 표면에 대한 비등방성 에칭을 강화하여, 고농도 도핑된 실리콘 카바이드의 표면결함을 용이하게 분석할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01)
출원번호/일자 1020130008740 (2013.01.25)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1418004-0000 (2014.07.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경남 창원시 성산구
2 방 욱 대한민국 경남 창원시 성산구
3 김남균 대한민국 경남 창원시 성산구
4 신윤지 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0075296-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0082677-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0846271-53
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0109387-07
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0212011-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0212021-07
8 등록결정서
Decision to grant
2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0335563-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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수산화칼륨과, 에천트에 산소를 원활히 공급할 수 있는 물질인 과산화나트륨(sodium peroxide, Na2O2)과 과산화칼륨(potassium superoxide, KO2)염을 혼합하여 도가니에 수용시키는 제1단계와; 상기 제1단계의 에천트를 가열로내에서 용융시키는 제2단계와; 상기 제2단계를 거친 용융된 에천트에 고농도 실리콘 카바이드 기판을 침지시켜 450℃ 내지 660℃의 온도에서 에칭시키는 제3단계; 및 상기 제3단계에서 에칭된 실리콘 카바이드를 냉각시키고 세척하는 제4단계;를 포함하여 구성되되, 수산화칼륨 100중량부에 과산화나트륨 10 내지 40중량부, 과산화칼륨 1 내지 20중량부가 혼합됨을 특징으로 하는 산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 제2단계의 용융은 450℃ 내지 660℃의 온도에서 이루어짐을 특징으로 하는 산화제가 첨가된 에천트를 이용한 고농도 실리콘카바이드 에칭방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.