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탄소나노튜브 분말을 염산, 황산, 질산 중의 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 이루어지는 산성용매와 혼합하여 탄소나노튜브 표면에 카르복실기로 이루어지는 기능성기를 부여하되, 얼음이 채워진 수조에서 초음파처리를 행하고 초음파 처리하는 시간을 조정하거나 리플럭스를 통해 탄소나노튜브의 길이 및 기능성기의 정도가 제어되도록 하는 제1 단계와;상기 제1단계의 기능성기가 부여된 탄소나노튜브 분말을 타 용매를 이용하여 탄소나노튜브 분산액을 형성시키는 제2단계와;상기 1,2단계와는 별도로 이루어지되, 상기 기능성기와 반응하는 반응기가 표면에 형성되도록 전도성기판을 표면처리하는 제3단계와;상기 탄소나노튜브 분산액에 축합제를 넣고 상기 제3단계의 전도성기판과 반응시킴으로서 전도성기판의 표면에 형성된 반응기와 탄소나노튜브의 표면에 형성된 기능성기와의 반응에 의하여 전도성 기판 표면에 수직정렬된 탄소나노튜브를 화학적으로 결합시키는 제4단계;그리고후열처리하는 제5단계:로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제2단계에서 사용되는 용매는 물, 알코올, 아세톤, 디메틸설폭사이드, 디메틸폼아미드, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 피리딘, 및 테트라하이드로퓨란 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 4항에 있어서, 제4단계에서 사용되는 탄소나노튜브 분산액에 첨가되는 축합제는 다이사이클로헥실카보다이이미드(DCC)임을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 제3단계에서 전도성기판은 실리콘웨이퍼, 에프티오 및 아이티오 중 어느 하나이고, 전도성기판의 표면처리는 피란하처리, 수산화암모늄과 과산화수소 및 물로 이루어진 암모니아계혼합용액 또는 염산과 과산화수소로 이루어지는 염산계혼합용액중 어느 하나를 사용하여 기판 표면에 수산화 작용기(-OH)가 도입되도록 하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 6항에 있어서, 수산화 작용기가 부여된 전도성기판에 자기조립 단분자막(self assembly monolayer)이 더 형성되도록 하고, 상기 자기조립 단분자막은 기판과 결합되는 헤드그룹은 Si-O계, P-O계 또는 S계 중 어느 하나이며 다른 작용기 끝단은 아민그룹(R-NH2) 또는 트리플루로메틸그룹(R-CF3)중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 3항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제4단계를 거친 시료를 아세톤용매에 넣어 초음파 처리함으로써 불순물인 물리적으로 부착된 탄소나노튜브를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 전도성 기판에 수직 정렬된 탄소나노튜브가 화학적으로 결합되어 형성된 탄소나노튜브 전극은 70 내지 400℃ 온도로 후열처리됨을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 전도성 기판에 수직 정렬된 탄소나노튜브가 화학적으로 결합되어 형성된 탄소나노튜브 전극은,코발트계 전해질을 사용하는 염료감응형 태양전지의 상대전극으로 이용되는 것을 특징으로 하는 전도성 기판에 화학적으로 결합된 짧은 탄소나노튜브 전극 제조방법
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