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전기적으로 절연되며, 플라즈마가 채워지는 진공 챔버(10);가공물(11)이 놓여지는 부분으로서, 진공 챔버(10)의 내부에 설치되어 가공물(11)과 함께 회전가능한 받침대(12);상기 가공물(11) 및 받침대(12)의 회전을 위한 회전수단(13);전도성을 가지면서 가공물(11)을 둘러싸서 가공물(11)을 플라즈마로부터 분리시키며, 전기적으로 가공물(11)과 연결되는 덮개(15);적어도 상기 덮개(15)의 한 면 이상에 회전가능하게 구비되고, 가공물(11)의 표면을 따라 배치되는 슬롯(14);을 포함하며,상기 슬롯은 가공물의 표면에 형성하고자 하는 나노패턴에 따라 사전에 결정한 소정의 경사 각도로 가변 조절된 형태로 이루어지고, 소정의 각도를 형성하도록 기울어지게 조절된 슬롯에 의해 덮개 내부로 입사되는 이온이 소정의 입사각을 형성하면서 입사되어, 덮개와 가공물 사이의 공간에 제공된 이온이 가공물의 일정 위치에 수직 방향이 아닌 경사진 각도로 도달하여 충돌함에 따라 가공물의 돌출된 부분을 선택적으로 제거하며 패턴을 형성할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서,상기 가공물(11)과 덮개(15)에 전원을 공급하는 전원공급원(16)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서,상기 가공물(11)은 원통형 가공물 또는 평판형 가공물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 가공물(11)은 덮개(15)에 대해 상대적으로 일정각도 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 덮개(15)는 사각단면의 덮개로 이루어지고, 슬롯(14)이 사각단면의 각 면에 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 덮개(15)는 서로 소정의 갭을 유지하는 내측의 인너 덮개(15a)와 외측의 아웃터 덮개(15b)로 구성되고, 내측의 전도성 인너 덮개(15a)는 가공물(11)과 연결되며, 아웃터 덮개(15b)는 플로팅 또는 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 받침대(12) 및 회전장치(13)와 덮개(15)는 1세트 또는 2세트 이상으로 구비되어, 하나의 진공 챔버(10) 내에 나란히 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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전기적으로 절연되며, 플라즈마가 채워지는 진공 챔버(10);가공물(11)이 놓여지는 부분으로서, 진공 챔버(10)의 내부에 설치되는 받침대(12);전도성을 가지면서 가공물(11)을 둘러싸서 가공물(11)을 플라즈마로부터 분리시키며, 전기적으로 가공물(11)과 연결되는 동시에 회전가능한 덮개(15) 및 상기 덮개(15)의 회전을 위한 회전수단(13);적어도 상기 덮개(15)의 한 면 이상에 회전가능하게 구비되고, 가공물(11)의 표면을 따라 배치되는 슬롯(14);을 포함하며, 상기 슬롯은 가공물의 표면에 형성하고자 하는 나노패턴에 따라 사전에 결정한 소정의 경사 각도로 가변 조절된 형태로 이루어지고, 소정의 각도를 형성하도록 기울어지게 조절된 슬롯에 의해 덮개 내부로 입사되는 이온이 소정의 입사각을 형성하면서 입사되어, 덮개와 가공물 사이의 공간에 제공된 이온이 가공물의 일정 위치에 수직 방향이 아닌 경사진 각도로 도달하여 충돌함에 따라 가공물의 돌출된 부분을 선택적으로 제거하며 패턴을 형성할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 장치
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전기적으로 절연된 진공 챔버 내부에 가공물을 배치하되, 챔버와 전기적으로 절연되고 회전가능한 받침대 위에 배치하는 단계;가공물과 전기적으로 연결되고 슬롯을 갖는 덮개를 이용하여 가공물 주변을 덮는 단계;상기 가공물의 표면에 형성하고자 하는 나노패턴의 형상에 따라 슬롯을 소정의 각도로 세팅하는 단계;상기 챔버의 내부에 플라즈마를 제공하는 단계;상기 가공물과 덮개에 음의 바이어스를 부가하고, 상기 가공물과 덮개를 상대 회전시키는 단계;상기 덮개 주변에 형성된 쉬스층 내부로 가속된 이온이 상기 슬롯을 통해 덮개와 가공물 사이로 이끌리면서 상기 가공물에 충돌하게 되어 가공물의 표면에 나노패턴을 형성하되, 상기 슬롯은 가공물의 표면에 형성하고자 하는 나노패턴에 따라 사전에 결정한 소정의 경사 각도로 가변 조절된 형태로 이루어지고, 소정의 각도를 형성하도록 기울어지게 조절된 슬롯에 의해 덮개 내부로 입사되는 이온이 소정의 입사각을 형성하면서 입사되어, 덮개와 가공물 사이의 공간에 제공된 이온이 가공물의 일정 위치에 수직 방향이 아닌 경사진 각도로 도달하여 충돌함에 따라 가공물의 돌출된 부분을 선택적으로 제거하며 패턴을 형성할 수 있도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 방법
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청구항 9에 있어서,상기 바이어스는 RF 자기 바이어스, 단극 반복 펄스 바이어스, 이극 반복 펄스 바이어스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 방법
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청구항 9에 있어서,상기 플라즈마는 내부 안테나를 갖는 ICP 소스, 불활성 가스, 반응성 가스 중 어느 하나에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 잠입 이온을 이용한 나노패턴 가공 방법
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