| 요약 |
본 발명은 Ag와 Sb와 La이 도핑된 GeTe 열전재료에 관한 것으로, Sb, Ag 및 La이 도핑된 GeTe계 열전재료에 있어서, (Ge1-x-ySby-tLatAgx)Te 화합물의 조성을 가지며, 여기서 0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15, 0〈t≤0.005인 것을 특징으로 하는 Ag와 Sb와 La이 도핑된 GeTe 열전재료를 기술적 요지로 한다. 그리고, 본 발명은, Sb, Ag, Ge, La 및 Te를 조성비에 맞게 각각 칭량하여 진공상태의 앰플에 장입하여 용융시키는 제1단계와; 상기 용융된 원료를 급냉시켜 잉곳을 제조하는 제2단계와; 상기 잉곳을 파쇄하여 (Ge1-x-ySby-tLatAgx)Te(0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15, 0〈t≤0.005) 분말을 제조하는 제3단계와; 상기 (Ge1-x-ySby-tLatAgx)Te(0.01≤x≤0.1, 0.01≤y≤0.15, 0〈t≤0.005) 분말을 소결하여 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 공정 후 와이어 컷팅하여 Ag와 Sb와 La이 도핑된 GeTe 열전재료를 제조하는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ag와 Sb와 La이 도핑된 GeTe 열전재료의 제조방법을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 이에 따라, Ag, Sb 및 La을 도핑하여 소정의 급냉 과정 및 열간 프레스 또는 방전 플라즈마 소결 과정을 거침으로써 GeTe에 Ag, Sb 및 La이 일정량 도핑되도록 하여 그 열전특성을 향상시켜 성능이 우수한 열전재료로 사용이 가능하다는 이점이 있다.
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