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차단 근접 조건에 기초하여 피가열물의 균일 가열 면적을 증가시키기 위한 마이크로웨이브 가열 장치

  • 기술번호 : KST2015163863
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차단 근접(near-cutoff) 조건의 도파관 내에서 피가열물을 균일하게 가열시킬 수 있는 면적을 증가시키도록 한 마이크로웨이브 가열 장치에 관한 것이다.
Int. CL F24C 7/02 (2006.01)
CPC H05B 6/707(2013.01) H05B 6/707(2013.01) H05B 6/707(2013.01) H05B 6/707(2013.01)
출원번호/일자 1020130103346 (2013.08.29)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1511516-0000 (2015.04.07)
공개번호/일자 10-2015-0025599 (2015.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.29)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정순신 대한민국 경기 안산시 상록구
2 김대호 대한민국 경상남도 김해시
3 설승권 대한민국 서울특별시 노원구
4 천수진 대한민국 경상남도 진주시 향교로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0791319-31
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0471175-17
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0773307-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0773306-61
5 등록결정서
Decision to grant
2015.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0012646-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
피가열물을 넣기 위한 도파관; 고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비되며, 상기 도파관의 길이 방향으로 진행하는 마이크로웨이브가 지나가는 폭방향 공간을 줄여주어 줄어든 해당 파장 조절 공간으로 진행하는 마이크로웨이브의 파장을 차단 근접 조건에 따라 일정 배수 이상으로 길게 해 주기 위한 파장 조절기; 및마이크로웨이브가 상기 도파관의 어느 한쪽 이상의 끝 부분에 형성된 급전부와 상기 파장 조절기 사이에 형성되며, 상기 도파관의 높이 방향으로 관로 크기가 변이되도록 형성된 변이부를 포함하고,상기 파장 조절 공간 내에서 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 급전부의 반대쪽에 반사판을 더 포함하고,상기 줄어든 공간 상에서 나온 마이크로웨이브를 상기 반사판에서 반사시켜 상기 줄어든 공간 상의 상기 피가열물 쪽으로 다시 진행시킴으로써 상기 피가열물에서 마이크로웨이브 감쇠(attenuation) 전력의 차이를 보상하고 상기 피가열물의 위치별 가열 균일도를 높이기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 도파관 내부로 통하도록 형성된 입력슬릿과 출력슬릿을 포함하며,수동으로 또는 기계적 장치를 이용해 상기 입력슬릿으로 상기 피가열물을 넣고 상기 도파관 내에서 가열된 상기 피가열물을 상기 출력슬릿을 통해 배출하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 도파관의 한쪽 입구에서 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시켜, 상기 파장 조절 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
5 5
내부로 통하도록 형성된 입력슬릿과 출력슬릿을 갖는 차단 근접 조건의 제1도파관; 및 상기 제1도파관의 상부 또는 하부에 하나 이상 배치되며, 각각이 입력슬릿과 출력슬릿을 갖는, 차단 근접 조건 또는 차단 조건의 제2도파관을 포함하고, 상기 제1도파관과 상기 제2도파관의 각 입력슬릿과 출력슬릿을 통해 피가열물을 밀어넣고 배출하기 위한 것으로서, 상기 차단 근접 조건의 상기 제1도파관 또는 상기 제2도파관 중 어느 하나 이상은, 고체 상태 물체로서 해당 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비되며, 해당 도파관의 길이 방향으로 진행하는 마이크로웨이브가 지나가는 폭방향 공간을 줄여주어 줄어든 해당 파장 조절 공간으로 진행하는 마이크로웨이브의 파장을 차단 근접 조건에 따라 일정 배수 이상으로 길게 해 주기 위한 파장 조절기; 및마이크로웨이브가 해당 도파관의 어느 한쪽 이상의 끝 부분에 형성된 급전부와 상기 파장 조절기 사이에 형성되며, 상기 도파관의 높이 방향으로 관로 크기가 변이되도록 형성된 변이부를 포함하고,상기 파장 조절 공간 내에서 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 제1도파관은, 피가열물을 밀어넣고 배출하기 위한 각각의 입력슬릿과 출력슬릿을 갖는 복수의 차단 근접 조건의 도파관들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 차단 근접 조건의 상기 제1도파관의 한쪽 입구에서 진폭 또는 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 제1도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시켜, 상기 파장 조절 공간 상의 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
8 8
제5항에 있어서,차단 근접 조건의 상기 제2도파관의 한쪽 입구에서 진폭 또는 주파수가 변화되는 마이크로웨이브를 입사하거나, 상기 제2도파관의 양쪽 입구에서 각각 입사하는 마이크로웨이브의 어느 하나 이상의 진폭, 위상, 또는 주파수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
9 9
제5항에 있어서,기계적 장치를 이용해 자동으로 롤(roll) 형태의 상기 피가열물을 상기 제1도파관 및 상기 제2도파관을 통과하도록 일정 길이씩 밀어넣고 가열조건에 따라 일정 시간 동안 가열한 상기 피가열물을 배출하는 방식으로 자동 작동하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
10 10
제5항에 있어서,기계적 장치를 이용해 자동으로 롤(roll) 형태의 상기 피가열물을 상기 제1도파관 및 상기 제2도파관을 통과하도록 일정 속도로 연속적으로 밀어넣고 배출하는 방식으로 자동 작동하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
11 11
제5항에 있어서,상기 차단 근접 조건의 상기 제1도파관 또는 상기 제2도파관은, 상기 파장 조절 공간을 통과한 마이크로웨이브를 상기 파장 조절 공간 쪽으로 반사시키기 위한 반사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
12 12
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 파장 조절 공간 상에서 길어진 상기 마이크로웨이브의 파장에 의해 상기 피가열물의 위치별 가열 균일도를 높이기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
13 13
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 파장 조절기에 의해 상기 줄어든 공간 상에서 상기 파장이 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 2
14 14
제1항 또는 제5항에 있어서,마이크로웨이브의 반사를 줄이며 마이크로웨이브의 전달성을 높이기 위하여, 상기 파장 조절기는, 길이 방향 앞 또는 뒤에 폭방향 공간을 점차로 줄여주기 위한 경사진 면 형태의 매칭 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
15 15
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 파장 조절기는, 측면에 부착된 위치 조절 수단에 의해 이동되도록 설치되거나 상기 도파관과 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
16 16
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 마이크로웨이브의 자유공간 파장의 1/8 이하의 두께를 갖는 상기 피가열물을 가열하기 위한 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브 가열 장치
17 17
도파관 내의 피가열물로 마이크로웨이브를 진행시키되,상기 도파관의 높이 방향으로 관로 크기가 변이되도록 형성된 변이부로 마이크로웨이브를 진행시킨 후,고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비된 파장 조절기에 의해 줄어든 해당 파장 조절 공간으로 마이크로웨이브를 진행시켜, 상기 파장 조절 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하고,상기 줄어든 공간으로 진행하는 상기 마이크로웨이브의 파장이 차단 근접 조건에 따라 상기 줄어든 공간으로 진입하기 전의 파장보다 일정 배수 이상으로 길어지는 효과를 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 가열 방법
18 18
차단 근접 조건의 제1도파관과, 상기 제1도파관의 상부 또는 하부에 하나 이상 배치되는 차단 근접 조건 또는 차단 조건의 제2도파관의, 각 입력슬릿과 출력슬릿을 통해 피가열물을 밀어넣고 배출하되,상기 차단 근접 조건의 상기 제1도파관 또는 상기 제2도파관 중 어느 하나 이상에서 높이 방향으로 관로 크기가 변이되도록 형성된 변이부로 마이크로웨이브를 진행시킨 후,상기 차단 근접 조건의 상기 제1도파관 또는 상기 제2도파관에 고체 상태 물체로서 내부의 일정 공간을 점유하도록 구비된 파장 조절기에 의해, 마이크로웨이브가 진행하는 공간이 줄어든 파장 조절 공간으로 마이크로웨이브를 진행시켜, 상기 파장 조절 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하고, 상기 파장 조절 공간으로 진행하는 마이크로웨이브의 파장이 차단 근접 조건에 따라 상기 파장 조절 공간으로 진입하기 전의 파장보다 일정 배수 이상으로 길어지는 효과를 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 가열 방법
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