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반도체 공정 기술 기반 미세패턴 ３극 전극 구조체

  • 기술번호 : KST2015163916
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공전자소자에 적용을 위한 전계 인가형 미세패턴 3극 전극 구조에 있어서, 제작이 용이하면서도 가공 비용이 저렴하며 높은 가공 정밀도를 충족시킬 뿐만 아니라, 안정된 실리콘 광결정 격자를 통해 전자기파 처리에 있어서 특성 제어의 안정성을 확보할 수 있는 진공전자소자용 3극 전극 구조에 관한 것이다.
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020130142134 (2013.11.21)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0058854 (2015.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.21)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김정일 대한민국 경기 안산시 상록구
3 전석기 대한민국 경기 안산시 상록구
4 김근주 대한민국 경기 안산시 상록구
5 신기영 대한민국 경기 안산시 상록구
6 신동원 대한민국 경기 안산시 상록구
7 진승오 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-1060648-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0065610-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0674702-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1142161-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1142160-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0203090-17
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번호 청구항
1 1
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 3극 전극 구조체에 있어서,상부 전극을 위한 제1 금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를, 2개의 하부 전극을 형성하기 위해 동일 층상에서 분리되어 형성된 제 2 금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에 결합시킨 구조로서,상기 제 1 금속물질층은 상부 기판 상에 형성되고, 상기 제 2 금속물질층은 하부 기판상에 형성되며, 상기 하부 전극 구조체는 상기 제2금속물질층의 상기 2개의 하부 전극 상에 각각 형성된 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
2 2
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 3극 전극 구조체에 있어서,2개의 상부 전극을 형성하기 위해 동일 층상에서 분리되어 형성된 제1 금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를, 하부 전극을 위한 제 2 금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에 결합시킨 구조로서,상기 제 1 금속물질층은 상부 기판 상에 형성되고, 상기 제 2 금속물질층은 하부 기판상에 형성되며, 상기 하부 전극 구조체는 상기 2개의 상부 전극에 대응하여 상기 제 2 금속 물질층 상에 각각 형성된 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 제1절연물질층과 상기 제1절연물질층 상에 형성된 실리콘층의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 실리콘층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 실리콘층과 상기 실리콘층 상에 형성된 제3절연물질층을 갖는 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서상기 복수의 광결정 각각은 상기 제 2 금속물질층 상에 형성된 제1 절연물질층, 상기 제 1 절연물질층 상에 형성된 실리콘층 및 상기 실리콘층 상에 형성된 제 3 절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
7 7
제1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상부 전극 구조체는, 상기 상부 기판과 상기 제1금속물질층 사이에서 상기 상부 기판 전면에 걸쳐 형성된 제1절연물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
8 8
제1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 절연체 기판인 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
9 9
제1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상부 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 절연체 기판인 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체
10 10
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 3극 전극 구조체의 제조 방법에 있어서,상기 3극 전극 구조체는, 상부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체에, 2개의 하부 전극을 위하여 동일 층상에서 분리되어 형성된 제 2 금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체를 결합시킨 구조로서,상기 하부 전극 구조체를 형성하기 위하여,하부 기판 상에 제2금속물질층을 동일 층상에서 분리시켜 형성한 구조체 상에, 실리콘 기판 상에 제2금속물질층을 분리시켜 형성한 구조체를 뒤집어 상기 제 2 금속물질층들을 접합시켜 상기 2개의 하부 전극을 형성시키는 단계; 및상기 뒤집어진 실리콘 기판을 연마한 후 연마된 실리콘 박막 위에서 패터닝하여 상기 2개의 하부 전극 상에 각각 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
11 11
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 3극 전극 구조체의 제조 방법에 있어서,상기 3극 전극 구조체는, 2개의 상부 전극을 위해 동일 층상에서 분리되어 형성된 제1금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체에, 하부 전극을 위한 제 2 금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체를 결합시킨 구조로서,상기 하부 전극 구조체를 형성하기 위하여,하부 기판 상에 제2금속물질층을 형성한 구조체 상에, 실리콘 기판 상에 제2금속물질층을 형성한 구조체를 뒤집어 상기 제 2 금속물질층들을 접합시켜 상기 하부 전극을 형성시키는 단계; 및상기 뒤집어진 실리콘 기판을 연마한 후 연마된 실리콘 박막 위에서 패터닝하여 상기 2개의 상부 전극에 각각 대응하도록 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 상기 하부 전극 상에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
12 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성시키는 단계는, 실리콘 기판 상에 제1절연물질층과 상기 제 1 절연물질층상에서 제2금속물질층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 하부 전극 상에 형성된 상기 제1절연물질층과 상기 제1절연물질층 상에 형성된 실리콘층의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
13 13
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 제2금속물질층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 2개의 하부 전극 상에 형성된 실리콘층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
14 14
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 제2금속물질층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 격자 패턴을 형성하는 단계는, 상기 뒤집어진 실리콘 기판을 연마하여 형성된 실리콘 박막에 제 3 절연물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제 3 절연물질층이 형성된 실리콘 박막 위에서 패터닝하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 하부 전극 상에 형성된 실리콘층 및 상기 실리콘층 상에 형성된 상기 제 3 절연물질층을 갖는 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
15 15
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 제 1 절연물질층 및 상기 제 1 절연물질층 상에 제2금속물질층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 격자 패턴을 형성하는 단계는, 상기 뒤집어진 실리콘 기판을 연마하여 형성된 실리콘 박막에 제 3 절연물질층을 형성하는 단계; 및 상기 제 3 절연물질층이 형성된 실리콘 박막 위에서 패터닝하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은, 상기 제2금속물질층 상에 형성된 상기 제1 절연물질층, 상기 제 1 절연물질층 상에 형성된 실리콘층 및 상기 실리콘층 상에 형성된 상기 제 3 절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
16 16
제10 또는 제 11 항에 있어서,상기 상부 전극 구조체는 상기 상부 기판과 상기 제 1 금속 물질층과 상기 상부 기판 전면에 걸쳐 형성된 절연물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3극 전극 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.