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차단 근접 조건 도파관 내에서 피가열물을 마이크로파 자기장에 의해 가열하기 위한 가열장치로서,파장 조절 공간이 형성된 도파관;상기 도파관의 길이 방향으로 마이크로파를 입사하기 위한 마이크로파 발생기;상기 파장 조절 공간에서 상기 마이크로파의 파장은 자유공간 파장(λ0)의 2배 이상이고, 상기 피가열물은 상기 파장 조절 공간 내에서 상기 마이크로파 자기장에 의해 가열되며, 상기 파장 조절 공간에서의 도파관 폭방향 길이(a)의 1/4 이내의 거리만큼 도파관의 측벽으로부터 떨어진 위치에서 상기 마이크로파 자기장에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제1항에 있어서,고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비되어 상기 도파관 내에 상기 파장 조절 공간을 형성하도록 하는 파장 조절기를 더 구비하고,상기 파장 조절기에는 길이 방향으로 적어도 어느 한쪽 끝에 경사면이 형성되어 상기 파장 조절 공간에 인접하여 매칭 영역이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제2항에 있어서,상기 파장 조절기는 이동 가능하도록 구비되어, 상기 파장 조절 공간에서의 도파관 폭방향 길이(a)를 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제1항에 있어서,상기 도파관에는 피가열물을 도파관 내에 투입하기 위한 피가열물 투입구가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제4항에 있어서,상기 피가열물 투입구는 상기 도파관의 상측벽에 슬릿 형상으로 형성되고,상기 도파관의 하측벽에는 상기 피가열물 투입구와 대응되는 위치에 슬릿 형상의 피가열물 배출구가 형성되어,상기 피가열물 투입구로 투입된 피가열물이 상기 파장 조절 공간 내에서 상기 마이크로파 자기장에 의해 가열된 후 상기 피가열물 배출구로 배출되도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 파장 조절 공간 내 상기 피가열물의 위치를 포함하는 격리공간이 형성되도록 상기 도파관 측벽에 접합 또는 결합되어 설치되는 유전체 차단벽을 더 포함하며,상기 격리공간은 외부와 기체 및 액체 기밀 가능한 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제6항에 있어서,상기 도파관에는, 상기 격리공간에 기체 또는 액체를 넣고 빼거나, 진공을 형성하기 위한 포트가 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 파장 조절 공간을 통과한 마이크로파를 반사시켜 상기 파장 조절 공간 쪽으로 다시 진행시키기 위한 반사판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 도파관의 어느 한쪽 이상의 끝 부분에 형성된 급전부와 상기 파장 조절 공간 사이에 형성되며, 상기 도파관의 높이 방향으로 관로 크기가 변이되도록 형성된 변이부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 장치
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제5항에 있어서,상기 차단 근접 조건 도파관의 상부 또는 하부에 하나 이상 배치되며, 각각이 상기 차단 근접 조건 도파관의 피가열물 투입구 및 피가열물 배출구와 동일한 위치에 슬릿 형태의 피가열물 투입구 및 피가열물 배출구를 구비하여 피가열물이 각 도파관을 순차적으로 통과할 수 있도록 하는 차단 근접 조건 또는 차단 조건의 도파관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 장치
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차단 근접 조건 도파관 내에서 피가열물을 마이크로파 자기장을 이용하여 가열하기 위한 가열 방법으로서,상기 도파관 내에는 마이크로파의 파장이 자유공간 파장(λ0)의 2배 이상인 파장 조절 공간이 형성되며,상기 피가열물을 상기 파장 조절 공간에서의 도파관 폭방향 길이(a)의 1/4 이내의 거리만큼 도파관의 측벽으로부터 떨어진 위치에 투입하고, 상기 도파관 내에 마이크로파를 입사하여 상기 피가열물이 상기 마이크로파 자기장에 의해 가열되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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제11항에 있어서,상기 피가열물은 적어도 부분적으로 강자성 물질을 포함하고 있고,상기 강자성 물질만이 상기 마이크로파 자기장에 의하여 선택적으로 가열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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제12항에 있어서,상기 강자성 물질은 실리콘 기판 위에 스크린 프린팅으로 형성된 도전성 패턴에 포함되고,상기 마이크로파 자기장에 의해 상기 실리콘 기판은 가열되지 않고 상기 도전성 패턴만이 선택적으로 가열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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제12항에 있어서,상기 강자성 물질은 진공 분위기 내의 니켈 포일 또는 메쉬이고,상기 마이크로파 자기장에 의해 상기 진공 분위기 내에 기체 방전 또는 플라즈마가 발생하는 일 없이 상기 니켈 포일 또는 메쉬만 선택적으로 가열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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제14항에 있어서,상기 가열에 의해 상기 니켈 포일 또는 메쉬 위에 그래핀 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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제12항에 있어서,상기 강자성 물질은 극성 용매 내에 포함된 용질이고,상기 마이크로파 자기장에 의해 상기 극성 용매는 가열되지 않고 상기 용질만 선택적으로 가열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 자기장을 이용한 가열 방법
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