1 |
1
하전 입자를 가속시키는 선형 가속기에 있어서,상기 하전 입자가 이동되는 가속 통로;RF 전자기장이 인가되어 상기 가속 통로를 따라 이동하는 상기 하전 입자를 가속시키는 복수의 가속 캐비티(cavity); 및상기 복수의 가속 캐비티 중 제 1 가속 캐비티와 연결된 제 1 가이드 포트를 통해 제 1 세기의 RF 전자기장을 상기 제 1 가속 캐비티로 인가하고, 상기 복수의 가속 캐비티 중 상기 제 1 가속 캐비티를 제외한 제 2 가속 캐비티와 연결된 제 2 가이드 포트를 통해 제 2 세기의 RF 전자기장을 상기 제 2 가속 캐비티로 인가하는 RF 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 선형 가속기는,상기 하전 입자를 상기 가속 통로로 조사하는 하전 입자 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 선형 가속기는,상기 제 1 가속 캐비티로 인가되는 RF 전자기장의 제 1 세기와, 상기 제 2 가속 캐비티로 인가되는 RF 전자기장의 제 2 세기를 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
4 |
4
제3항에 있어서,상기 제어부는,상기 선형 가속기의 외부 온도를 측정하고, 상기 측정된 외부 온도에 기초하여 상기 제 1 세기와 상기 제 2 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
5 |
5
제3항에 있어서,상기 제어부는,상기 제 1 가속 캐비티 내에서 측정된 RF 전자기장의 세기와 상기 제 2 가속 캐비티 내에서 측정된 RF 전자기장의 세기가 기 설정된 세기와 상이한 경우, 상기 제 1 세기와 상기 제 2 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 선형 가속기는,상기 제 2 가이드 포트에 연결되어, 상기 제 2 가속 캐비티로 인가되는 제 2 세기의 RF 전자기장의 위상을 조절하는 위상 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 제 1 가속 캐비티는 복수의 제 1 가속 캐비티를 포함하고, 상기 제 2 가속 캐비티는 복수 개의 제 2 가속 캐비티를 포함하되,상기 RF 소스는,소정 위상을 갖는 상기 제 1 세기의 RF 전자기장과, 상기 소정 위상과 180도의 위상 차이가 나는 상기 제 1 세기의 RF 전자기장을 상기 복수 개의 제 1 가속 캐비티들 각각으로 교대로 인가하고,소정 위상을 갖는 상기 제 2 세기의 RF 전자기장과, 상기 소정 위상과 180도의 위상 차이가 나는 상기 제 2 세기의 RF 전자기장을 상기 복수 개의 제 2 가속 캐비티들 각각으로 교대로 인가하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 선형 가속기는,상기 RF 소스로부터 인가되는 상기 제 1 세기의 RF 전자기장을 상기 복수의 제 1 가속 캐비티들 각각으로 전달하고, 상기 RF 소스로부터 인가되는 상기 제 2 세기의 RF 전자기장을 상기 복수의 제 2 가속 캐비티들 각각으로 전달하는 사이드 커플링 캐비티(side coupling cavity)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선형 가속기
|
9 |
9
선형 가속기에 의한 하전 입자 가속 방법에 있어서,복수의 가속 캐비티 중 제 1 가속 캐비티와 연결된 제 1 가이드 포트를 통해 제 1 세기의 RF 전자기장을 상기 제 1 가속 캐비티로 인가하는 단계;상기 복수의 가속 캐비티 중 상기 제 1 가속 캐비티를 제외한 제 2 가속 캐비티와 연결된 제 2 가이드 포트를 통해 제 2 세기의 RF 전자기장을 상기 제 2 가속 캐비티로 인가하는 단계; 및하전 입자를 가속 통로로 조사하는 단계를 포함하고,상기 가속 통로로 조사된 하전 입자는 상기 제 1 가속 캐비티에 인가된 상기 제 1 세기의 RF 전자기장과 상기 제 2 가속 캐비티에 인가된 상기 제 2 세기의 RF 전자기장에 의해 가속되는 것을 특징으로 하는 선형 가속기를 이용한 하전 입자 가속 방법
|