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활성탄 전극재의 제조방법에 있어서, 활성탄에 질소함유고분자전구체를 혼합하되 활성탄;질소함유고분자전구체의 혼합비를 중량비로 1;1~4 비율로 혼합하고, 이를 700℃ 내지 900℃의 온도에서 열처리하여 활성탄에 질소가스를 도핑 시키되, 상기 열처리는 분당 4℃ 내지 6℃의 온도로 승온 시킴을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질소함유 고분자 전구체는, 멜라민(Melamine), 불소 마이카(fluorine mica), 폴리피로리돈(polypyrrolidone(Ppy)), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrylonitrile(PAN)), 폴리아날린(polyaniline(PANI)) 중 하나임을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리는 아르곤 가스 분위기에서 진행됨을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재의 제조방법
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커패시터용 전극에 있어서, 상기 전극은, 활성탄에 질소함유고분자전구체를 혼합하되 활성탄;질소함유고분자전구체의 혼합비를 중량비로 1;1~4 비율로 혼합하고, 이를 700℃ 내지 900℃의 온도에서 열처리하여 활성탄에 질소가스를 도핑시키되, 상기 열처리는 분당 4℃ 내지 6℃의 온도로 승온 시켜 형성된 전극재를 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재를 이용한 전극
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제5항에 있어서, 상기 질소함유 고분자 전구체는, 멜라민(Melamine), 불소 마이카(fluorine mica), 폴리피로리돈(polypyrrolidone(Ppy)), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrylonitrile(PAN)), 폴리아날린(polyaniline(PANI)) 중 하나임을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재를 이용한 전극
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 열처리는 아르곤 가스 분위기에서 진행됨을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극재를 이용한 전극
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커패시터에 있어서, 활성탄에 질소함유고분자전구체를 혼합하되 활성탄;질소함유고분자전구체의 혼합비를 중량비로 1;1~4 비율로 혼합하고, 이를 700℃ 내지 900℃의 온도에서 열처리하여 활성탄에 질소가스를 도핑시키되, 상기 열처리는 분당 4℃ 내지 6℃의 온도로 승온시켜 형성된 전극재를 이용하여 형성되는 전극을 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극을 이용한 전기 이중층 커패시터
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제9항에 있어서, 상기 질소함유 고분자 전구체는, 멜라민(Melamine), 불소 마이카(fluorine mica), 폴리피로리돈(polypyrrolidone(Ppy)), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrylonitrile(PAN)), 폴리아날린(polyaniline(PANI)) 중 하나임을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극을 이용한 전기 이중층 커패시터
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제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 열처리는 아르곤 가스 분위기에서 진행됨을 특징으로 하는 질소가 도핑된 활성탄 전극을 이용한 전기 이중층 커패시터
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