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저항성을 갖는 다결정실리콘층을 사용한 종단 기술에 기반한 광 검출용 반도체 센서 구조

  • 기술번호 : KST2015163996
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항성을 갖는 다결정실리콘층을 사용한 종단 기술(termination technique)에 기초하여, 항복 전압(breakdown voltage) 향상뿐만아니라, 측면 공핍 영역(lateral depletion region)의 확장을 최소화할 수 있으며, 대면적 반도체 센서 어레이에도 적용할 수 있는 반도체 센서 구조에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 반도체 센서는, 반도체 기판에 광검출용 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 센서 어레이 영역의 가장 자리 액티브 픽셀로부터, 일정 거리 간격을 두고 상기 센서 어레이 영역의 주위를 둘러싸는 가드 링을 포함하며, 상기 가드 링은 상기 반도체 기판에 도펀트 도핑으로 형성된 제1 가드 링과 제2 가드 링, 및 상기 반도체 기판 위에 형성된 절연막 상에 형성되고 도펀트 도핑된 반절연 다결정실리콘 링을 포함하고, 상기 반절연 다결정실리콘 링은 상기 제1 가드 링과 상기 제2 가드 링 사이에서 상기 제1 가드 링 및 상기 제2 가드 링과 전기적으로 접속되도록 결합된 것을 특징으로 한다. 광검출용 반도체 센서, 반절연 다결정실리콘(SIPOS; semi-insulating polycrystalline silicon)
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01) H01L 29/404(2013.01)
출원번호/일자 1020090116234 (2009.11.27)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1084110-0000 (2011.11.10)
공개번호/일자 10-2011-0059485 (2011.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20111116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성채 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 김봉회 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 허영 대한민국 경기도 군포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0733740-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0224583-02
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0475419-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0475420-42
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0555728-00
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.10.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0834092-35
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0634325-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
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N형 반도체 기판에 광검출용 복수의 액티브 픽셀들을 포함하는 센서 어레이 영역의 가장 자리 액티브 픽셀로부터, 일정 거리 간격을 두고 상기 센서 어레이 영역의 주위를 둘러싸는 멀티 가드 링을 포함하며, 상기 멀티 가드 링은, 상기 반도체 기판에 N형 도펀트 도핑으로 형성된 가장 바깥쪽의 N형 가드 링과 P형 도펀트 도핑으로 형성된 나머지 그 안쪽의 복수의 P형 가드 링들을 포함한 복수의 가드 링, 및 상기 반도체 기판 위에 형성된 절연막 상에 증착 장비에서 포스피린 가스를 주입하면서 다결정실리콘 층을 증착하여 N형 도펀트 도핑된 형태로 형성된 복수의 반절연 다결정실리콘 링을 포함하고, 상기 복수의 반절연 다결정실리콘 링은 상기 복수의 가드 링 중 어느 2개의 가드 링들 사이에서 각각 금속 전극에 의해 해당 가드 링들과 전기적으로 접속되도록 결합되고, 상기 복수의 가드 링 중 가장 바깥쪽의 가드 링 및 상기 복수의 가드 링 중 가장 안쪽의 가드 링 사이에 역 바이어스 전압을 인가하고, 상기 복수의 가드 링 중 상기 가장 바깥쪽의 가드 링과 상기 가장 안쪽의 가드 링을 제외한 하나 이상의 중간의 가드링은 플로팅되며, 상기 전기적으로 접속된 복수의 반절연 다결정실리콘 링에서 선형적 전위 변화가 일어나도록, 상기 복수의 반절연 다결정실리콘 링이, 5x1019/cm3 이상의 도펀트 P(phosphorus)가 포함되도록 도핑되는 도펀트 농도와 미리 결정된 폭 및 두께를 가지도록 형성되며, 상기 복수의 반절연 다결정실리콘 링에서의 상기 선형적 전위 변화가 전기장 분포를 분산시켜 상기 센서 어레이 영역의 액티브 픽셀들의 항복 전압을 증가시키고, 상기 복수의 가드 링 중 가장 바깥쪽의 가드 링의 채널 스톱 역할로 상기 가장 자리 액티브 픽셀로부터 확장되는 공핍 영역의 측면으로의 확장을 차단하기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 센서
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