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피아이앤 센서 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015163998
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 특히 배치(batch) 타입으로 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하여 N+ 도핑층을 형성함으로써, 반도체 소자 양산시, 생산성 및 제조 수율을 향상시키는 PIN 센서 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 PIN 센서 제조 방법은, 배치(batch) 타입으로 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하여 진성층 기판의 양면에 제 1 도핑층을 형성하는 단계, 상기 진성층 기판의 일면에 형성된 제 1 도핑층을 제거하는 단계, 상기 제 1 도핑층이 제거된 상기 진성층 기판의 일면 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 진성층 기판의 일면에 이온주입을 수행하여 제 2 도핑층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 및 상기 제 2 도핑층을 포함하는 상기 진성층 기판의 일면 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 반도체 소자, 배치(batch) 방식, LPCVD, 도핑, PIN 센서
Int. CL H01L 31/105 (2006.01)
CPC H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01) H01L 31/105(2013.01)
출원번호/일자 1020080028764 (2008.03.28)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0967428-0000 (2010.06.24)
공개번호/일자 10-2009-0103269 (2009.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허영 대한민국 경기 군포시
2 전성채 대한민국 경기 안산시 상록구
3 진승오 대한민국 경기 시흥시
4 박진구 대한민국 경기 안산시 상록구
5 임현우 대한민국 경기 안산시 단원구
6 서정호 대한민국 부산 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박정학 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, ****호(역삼동, 아남타워)(넥스트원국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0224826-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0035053-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0521839-70
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0107953-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0127818-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0127830-06
9 등록결정서
Decision to grant
2010.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0254125-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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배치(batch) 타입으로 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 공정을 수행하되 공정 챔버 내에 도핑가스(Dopping Gas)를 함께 투입하여 진성층 기판의 양면에 제 1 도핑층을 형성하는 단계; 상기 진성층 기판의 일면에 형성된 제 1 도핑층을 제거하는 단계; 상기 제 1 도핑층이 제거된 상기 진성층 기판의 일면 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 진성층 기판의 일면에 이온주입을 수행하여 제 2 도핑층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 제 2 도핑층을 포함하는 상기 진성층 기판의 일면 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 PIN 센서 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도핑층은 N+ 웰 활성영역이고, 상기 제 2 도핑층은 P+ 웰 활성영역인 것을 특징으로 하는 PIN 센서 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도핑층은 1,500 내지 2,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 PIN 센서 제조 방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 도핑가스는 또는 중 적어도 하나 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 PIN 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.