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혼합 가스가 유입되고 유출되면서 일정 진공 상태를 유지하는 챔버의 상부에 결합된 드리프트 플레인과
상기 챔버 내에 상기 드리프트 플레인의 하부로 배치되고, 광자 검출을 위한 회로를 가지는 ROIC 칩을 포함하고,
상기 ROIC 칩은, 일정 피치로 서로 교대로 배치한 복수의 캐소드 전극들과 복수의 애노드 전극들이 포함된 광 검출 영역을 포함하며,
상기 복수의 애노드 전극들 위로 절연막을 형성한 후 상기 복수의 애노드 전극들이 노출되도록 패턴하고,
상기 복수의 애노드 전극들 사이의 남아있는 절연막 상에 상기 복수의 캐소드 전극들을 형성하고,
상기 드리프트 플레인을 투과하는 광에 의하여 상기 캐소드 전극들과 상기 애노드 전극들 사이의 고 전계 영역(High Electric Field Region)에서 상기 가스와의 작용으로 발생되는 기체 상태에서의 전자 증배(Electron Multiplication)를 유발하여 상기 회로를 통해 광자 검출이 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서,
상기 광 검출 영역에 상기 복수의 캐소드 전극들과 상기 복수의 애노드 전극들이 1차원 또는 2차원 어레이 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서, 상기 광 검출 영역에 상기 복수의 캐소드 전극들과 상기 복수의 애노드 전극들이 2차원 어레이 형태로 배치된 경우에, 각 캐소드 전극의 전후 좌우에 각각 애노드 전극이 배치된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서,
상기 드리프트 플레인을 투과하는 광은 X-선을 포함한 방사선인 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서,
상기 드리프트 플레인과 상기 복수의 캐소드 전극들에는 상기 복수의 애노드 전극들의 전압 보다 작은 전압이 동일하게 인가되는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서,
상기 복수의 애노드 전극들 각각의 절연막 위로 형성된 상기 복수의 캐소드 전극들 각각의 단부가 상기 복수의 애노드 전극들 각각의 인접 단부와 일치하거나
상기 복수의 캐노드 전극들의 폭을 좁혀서 상기 복수의 캐소드 전극들 각각의 단부가 상기 복수의 애노드 전극들 각각의 인접 단부와 일정 거리 이격된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제1항에 있어서,
상기 복수의 애노드 전극들 각각의 절연막 위로 형성된 상기 복수의 캐소드 전극들 각각의 단부와 상기 복수의 애노드 전극들 각각의 인접 단부 사이의 전계 집중을 해소하기 위하여, 상기 복수의 캐소드 전극들 각각의 단부를 덮도록 일정 유전율 이상의 절연막을 형성한 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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제7항에 있어서,
상기 일정 유전율 이상의 절연막은 실리콘 산화막, 폴리이미드막(polyimide film) 또는 실리콘 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
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