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원통형 비대칭 수퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2015164025
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원통형 비대칭 수퍼커패시터에 관한 것으로, 제1집전체와 활성탄소층으로 이루어진 양극과, 제2집전체와 탄소층 및 리튬층으로 이루어진 음극이, 분리막을 사이에 두고 용기 내부에 코일 형태로 권취된 원통형 수퍼커패시터에 있어서, 상기 리튬층은, 상기 코일의 중심측과 최외측 중에 하나 또는 모두에 위치되도록 상기 제2집전체의 표면 일단과 타단 중에 하나 또는 모두에 형성되고, 상기 탄소층은, 상기 제2집전체 표면에 형성되되, 상기 리튬층이 형성되지 않은 나머지 부분에 형성되어 리튬이온이 프리도핑되는 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터에 관한 것이다.
Int. CL H01G 11/26 (2013.01)
CPC H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01)
출원번호/일자 1020130113864 (2013.09.25)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1493976-0000 (2015.02.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김익준 대한민국 부산 동래구
2 양선혜 대한민국 경상남도 김해시
3 최인식 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0868843-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0028106-87
4 등록결정서
Decision to grant
2014.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0777021-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
제1집전체와 활성탄소층으로 이루어진 양극과, 제2집전체와 탄소층 및 리튬층으로 이루어진 음극이, 분리막을 사이에 두고 용기 내부에 코일 형태로 권취된 원통형 수퍼커패시터에 있어서,상기 리튬층은,상기 코일의 중심측과 최외측 중에 하나 또는 모두에 위치되도록 상기 제2집전체의 표면 일단과 타단 중에 하나 또는 모두에 형성되고,상기 탄소층은,상기 제2집전체 표면에 형성되되, 상기 리튬층이 형성되지 않은 나머지 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
2 2
제1항에 있어서,상기 리튬층은,적어도 1회전 이상 권취되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
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제1항에 있어서,상기 리튬층은,상기 제2집전체 표면에 리튬 박이 기계적 압착 또는 증착에 의해 부착되어 이루어진 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
4 4
제1항에 있어서,상기 리튬층은, 순도 99% 이상, 두께가 1~200㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
5 5
제1항에 있어서,상기 탄소층과 상기 활성탄소층은,상호 대면되는 위치에 배치되어 권취되는 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
6 6
제1항에 있어서,상기 제1집전체와 상기 제2집전체는,각각 알루미늄(Al)과 구리(Cu)가 포함되며, 다공성을 가지는 것을 특징으로 하는 원통형 비대칭 수퍼커패시터
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