맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 공정 기술 기반 미세패턴 ２극 전극 구조

  • 기술번호 : KST2015164038
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공전자소자에 적용을 위한 전계 인가형 미세패턴 2극 전극 구조에 있어서, 제작이 용이하면서도 가공 비용이 저렴하며 높은 가공 정밀도를 충족시킬 뿐만 아니라, 안정된 실리콘 광결정 격자를 통해 전자기파 처리에 있어서 특성 제어의 안정성을 확보할 수 있는 진공전자소자용 2극 전극 구조에 관한 것이다.
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020130110989 (2013.09.16)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1485341-0000 (2015.01.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.16)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김재홍 대한민국 경기 성남시 분당구
2 전석기 대한민국 경기 안산시 상록구
3 김근주 대한민국 경기 안산시 상록구
4 김정일 대한민국 경기 안산시 상록구
5 신동원 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0844917-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0021974-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0575267-25
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0969926-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0969925-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0735226-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체에 있어서,하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 상부 전극 구조체는 상부 기판 상에 형성된 상기 제1금속물질층을 포함하며,상기 하부 전극 구조체는 하부 기판 상에 형성된 상기 제2금속물질층 상에 형성된 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 포함하되,상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 제2절연물질층과 상기 제2절연물질층 상에 형성된 실리콘층의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
2 2
삭제
3 3
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체에 있어서,하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 상부 전극 구조체는 상부 기판 상에 형성된 상기 제1금속물질층을 포함하며,상기 하부 전극 구조체는 하부 기판 상에 형성된 제2절연물질층 및 상기 제2절연물질층 상에 형성된 상기 제2금속물질층을 포함하고, 상기 제2금속물질층 상에는 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴이 형성되어 있으며, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 실리콘층과 상기 실리콘층 상에 형성된 제3절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
4 4
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체에 있어서,하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 상부 전극 구조체는 상부 기판 상에 형성된 상기 제1금속물질층을 포함하며,상기 하부 전극 구조체는 하부 기판 상에 형성된 제2절연물질층 및 상기 제2절연물질층 상에 형성된 상기 제2금속물질층을 포함하고, 상기 제2금속물질층 상에는 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴이 형성되어 있으며, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 제3절연물질층, 상기 제3절연물질층 상에 형성된 실리콘층, 상기 실리콘층 상에 형성된 제4절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
5 5
제1, 3 및 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 전극 구조체는 상기 상부 기판 상에 형성되고 상기 제1금속물질층 하부에 형성된 제1절연물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
6 6
제1, 3 및 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 절연체 기판인 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
7 7
제1, 3 및 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 절연체 기판인 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체
8 8
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체의 제조 방법에 있어서,상기 2극 전극 구조체는, 하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 하부 전극 구조체를 형성하기 위하여,하부 기판 상에 상기 제2금속물질층을 형성한 구조체 상에, 실리콘 기판 상에 제2절연물질층과 상기 제2금속물질층을 순차 형성한 구조체를 뒤집어 접합시키는 단계;상기 실리콘 기판을 연마한 후 연마된 실리콘 박막 위에서 패턴하여 상기 제2금속물질층 상에 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 제2절연물질층과 상기 제2절연물질층 상에 형성된 실리콘층의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체의 제조 방법에 있어서,상기 2극 전극 구조체는, 하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 하부 전극 구조체를 형성하기 위하여,하부 기판 상에 제2절연물질층과 상기 제2금속물질층을 순차 형성한 구조체 상에, 실리콘 기판 상에 상기 제2금속물질층을 형성한 구조체를 뒤집어 접합시키는 단계;상기 실리콘 기판을 연마한 후 연마된 실리콘 박막 위에 제3절연물질층을 형성하는 단계;상기 제3절연물질층 위에서 패턴하여 상기 제2금속물질층 상에 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 실리콘층과 상기 실리콘층 상에 형성된 상기 제3절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체의 제조 방법
11 11
전계를 인가하여 전자기파 처리를 위한 2극 전극 구조체의 제조 방법에 있어서,상기 2극 전극 구조체는, 하부 전극을 위한 제1금속물질층을 갖는 하부 전극 구조체에, 상부 전극을 위한 제2금속물질층을 갖는 상부 전극 구조체를 뒤집어 결합시킨 구조로서,상기 하부 전극 구조체를 형성하기 위하여,하부 기판 상에 제2절연물질층과 상기 제2금속물질층을 순차 형성한 구조체 상에, 실리콘 기판 상에 제3절연물질층과 상기 제2금속물질층을 순차 형성한 구조체를 뒤집어 접합시키는 단계;상기 실리콘 기판을 연마한 후 연마된 실리콘 박막 위에 제4절연물질층을 형성하는 단계;상기 제4절연물질층 위에서 패턴하여 상기 제2금속물질층 상에 복수의 광결정으로 이루어진 격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 광결정 각각은 상기 제2금속물질층 상에 형성된 상기 제3절연물질층, 상기 제3절연물질층 상에 형성된 실리콘층, 상기 실리콘층 상에 형성된 상기 제4절연물질층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체의 제조 방법
12 12
제8, 10 및 11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 전극 구조체는 상기 실리콘 기판 상에 형성되고 상기 제1금속물질층 하부에 형성된 제1절연물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2극 전극 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.