맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

접합장벽쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164045
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 접합장벽 쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 트렌치 구조의 상단에 위치한 게이트 전극과; 상기 전극 아래 누설전류를 감소시키며 항복전압을 증가시키는 고농도 p형 접합장벽쇼트키 구조와; 상기 트렌치 측면벽에 오믹특성을 향상시키기 위한 고농도 n형 SiC 반도체와; 상기 고농도 n형 SiC 반도체에 오믹접촉된 소스전극과; 상기 고농도 p형 SiC 반도체 및 소스전극 아래에 형성되고 트렌치의 중심을 향해 상기 고농도 n형 SiC 반도체 보다 더 깊이 형성된 고농도 p형 반도체와; 상기 고농도 p형 SiC 반도체 아래 항복전압을 높이기 위한 저농도 n형 SiC 드리프트층과; 상기 드리프트층 아래 오믹특성을 향상하기 위한 고농도 n형 SiC 기판과; 상기 기판 아래 오믹접촉된 드레인전극을 갖는 접합장벽쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터 게이트 구조를 갖도록 구성된 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명에 의한 MESFET 구조에서는 기존의 전력용 SiC MESFET의 단점인 높은 누설전류와 낮은 항복전압을 개선하고 게이트와 소스간의 기생 커패시턴스를 감소시켜 스위칭속도를 증가시킬 수 있다. 탄화규소(SiC), 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스트(MESFET), 접합장벽쇼트키 게이트 구조, 항복전압, 누설전류
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66068(2013.01) H01L 29/66068(2013.01) H01L 29/66068(2013.01)
출원번호/일자 1020070108447 (2007.10.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0933383-0000 (2009.12.14)
공개번호/일자 10-2009-0042598 (2009.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20091222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.26)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강인호 대한민국 경남 진주시
2 김상철 대한민국 경남 창원시
3 김남균 대한민국 경남 창원시
4 방욱 대한민국 경남 창원시
5 주성재 대한민국 경남 창원시 가음정동 **

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남정 대한민국 대전광역시 서구 월평북로 **, ****호 케이맥스특허법률사무소 (월평동, 만년오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0770353-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0018062-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0210985-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0440897-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0440924-84
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0416330-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트렌치(1) 구조의 상단에 위치한 게이트 전극(200)과; 상기 전극 아래 누설전류를 감소시키며 항복전압을 증가시키는 고농도 p형 접합장벽쇼트키 구조와; 상기 트렌치 측면벽에 오믹특성을 향상시키기 위한 고농도 n형 SiC 반도체(210)와; 상기 고농도 n형 SiC 반도체에 오믹접촉된 소스전극(220)과; 상기 고농도 p형 SiC 반도체 및 소스전극 아래에 형성되고 트렌치의 중심을 향해 상기 고농도 n형 SiC 반도체 보다 더 깊이 형성된 고농도 p형 반도체(240)와; 상기 고농도 p형 SiC 반도체 아래 항복전압을 높이기 위한 저농도 n형 SiC 드리프트층(260)과; 상기 드리프트층 아래 오믹특성을 향상하기 위한 고농도 n형 SiC 기판(270)과; 상기 기판 아래 오믹접촉된 드레인전극(280)을 갖는 접합장벽쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 고농도 p형 반도체(240)의 접합장벽 쇼트키 게이트에서 p형 라인의 너비 및 간격을 변화시킨 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 접합장벽쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 고농도 p형 반도체(240)의 접합장벽 쇼트키 게이트에서 p형 반도체의 패턴을 선이 아닌 원이나 육각형 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 접합장벽쇼트키 게이트 구조를 갖는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터
4 4
게이트전극과 드레인전극간의 이격거리를 증가시키기 위하여 형성되는 트렌치 형성단계와; 상기 트렌치(1) 형성 후 p형의 반도체를 형성하기 위하여 알루미늄(Al)이나 보론(B)을 이온주입 방식으로 주입하는 제 1이온주입 단계와; 제 1이온주입 단계를 수행후 소스 오믹특성을 향상 시킬 수 있도록 n형 반도체를 형성하기 위하여 질소(N)를 주입시키는 제 2이온주입 단계와; 상기 이온주입 공정의 완료시 아르곤(Ar) 분위기 및 1600oC 이상의 고온에서 30분 가량 실행하는 이온 활성화 단계와; 이온 활성화 단계후 소스와 드레인의 오믹전극을 형성하기 위해 니켈(Ni) 혹은 티타늄/알루미늄(Ti/Al)을 증착하고 950oC 이상의 열처리를 수행하는 소스 및 드레인 전극 형성단계와; 소스 및 드레인 전극 형성단계 후 쇼트키 접합형 게이트전극을 형성하기 위해 Ti나 Ni을 증착하여 형성되는 전극 형성단계와; 로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 제 1이온 주입단계에서 알루미늄(Al)이나 보론(B)을 40o 이상의 각도로 주입하고, 제 2이온주입 단계에서 질소(N)를 40o 이하의 각도로 주입하는 것을 특징으로 하는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
6 6
p형의 반도체를 형성하기 위하여 알루미늄(Al)이나 보론(B)을 일반적인 이온주입 방식으로 주입하는 제 1이온주입단계와; 제 1이온주입단계 후 에피탁시 성장기법을 이용하여 4H-SiC를 성장시키는 에피탁시 성장단계와; 에피탁시 성장단계 후 게이트전극과 드레인전극간의 이격거리를 증가시키기 위하여 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계와; 트렌치형성 후 p형의 반도체를 형성하기 위하여 알루미늄(Al)이나 보론(B)을 이온주입 방식으로 주입하는 제 2이온주입단계와; 상기 이온주입 공정의 완료시 아르곤(Ar) 분위기 및 1600oC 이상의 고온에서 30분 가량 실행하는 이온 활성화 단계와; 이온 활성화 단계후 소스와 드레인의 오믹전극을 형성하기 위해 니켈(Ni) 혹은 티타늄/알루미늄(Ti/Al)을 증착하고 950oC 이상의 열처리를 수행하는 소스 및 드레인 전극 형성단계와; 소스 및 드레인 전극 형성단계 후 쇼트키 접합형 게이트전극을 형성하기 위해 Ti나 Ni을 증착하여 형성되는 전극 형성단계와; 로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압 탄화규소 쇼트키 접합형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.