| 1 |
1
기판 위에 형성된 금속막(metal film), 또는 별도의 기판을 사용하지 않고 전체가 동일한 재질로 구성된 금속박(metal foil)이나 금속기판(metal substrate)을 준비하는 제 1단계와;상기 금속막, 금속박 또는 금속기판 위에 탄소박막(carbon film)을 물리적 기상 증착법을 이용하여 형성하는 제 2단계와;상기 탄소박막을 열처리(thermal anneal)하여 그래핀 박막을 형성하는 3단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 제 2단계의 물리적 기상 증착법에 의한 탄소박막 형성은 탄소의 증발법(carbon evaporation)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 물리적 기상 증착법에 의한 탄소박막 형성은 탄소타겟(carbon target)의 스퍼터링(sputtering)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 물리적 기상 증착법에 의한 탄소박막 형성은 탄소원료(carbon source)의 레이져 어블레이션(laser ablation)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 금속막, 금속박 또는 금속기판은 Ni, Co, Fe, Cu, Ru, Pt, Pd, Ta, Mo, W, Ir, Ti, V, Mn, Zn을 비롯한 전이금속 및 Al, Mg로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 2개 이상의 조합의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 열처리는 열처리온도까지 5℃/sec 이상 300℃/sec까지의 승온속도를 갖는 급속열처리(rapid thermal anneal)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 제1단계에서 기판 위에 형성된 금속막(metal film)을 사용할 경우, 금속막과 기판 사이에 별도의 블록층을 형성하는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서, 상기 블록층의 재질은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 9 |
9
탄소에 대한 고용도(solid solubility)를 갖는 금속으로 이루어진 금속막(metal film), 금속박(metal foil) 또는 금속기판(metal substrate) 위에 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)을 사용하여 탄소박막을 증착한 후, 열처리온도까지 5℃/sec 이상 300℃/sec까지의 승온속도를 갖는 급속열처리(rapid thermal anneal)에 의해 열처리를 실시함으로써 그래핀 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
| 10 |
10
탄소에 대한 고용도(solid solubility)가 없는 금속으로 이루어진 금속막(metal film), 금속박(metal foil) 또는 금속기판(metal substrate) 위에 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition)을 사용하여 탄소박막을 증착한 후, 열처리를 실시함으로써 그래핀 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법
|
