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후열처리 산화법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164195
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 전극에 관한 것으로서, 탄소나노튜브 분말과 분산제를 용매와 혼합하여 탄소나노튜브 분산용액을 만드는 제1 단계와; 상기 제1단계의 분산용액을 기판에 코팅 또는 전사하는 제2단계; 그리고 상기 2단계에서 준비된 시료를 산소 분위기 하에서 250 이상 550℃ 이하의 온도로 후열처리하는 제3단계;로 이루어지는 후열처리 산화법에 의한 탄소나노튜브 전극 제조방법을 제공하는 것을 그 기술적 특징으로 한다. 그리고, 바람직하기로는, 상기 제 3단계를 거친 시료를 20 내지 150℃ 온도 하에서 진공건조 시키는 제2후열처리 단계를 더 포함하도록 한다. 제1후열처리 과정에서 필요로 하는 산소는 대기 중, 별도 산소가스 주입 또는 폴리카보네이트와 같은 고분자의 산화에 의한 것 중 어느 하나 또는 둘 이상의 산소공급 환경에서 이루어지도록 하며, 상기 기판 위에 형성되는 탄소나노튜브막의 두께는 0.5㎛ 이하가 되도록 한다. 본 발명은 전극 표면의 후열처리를 통해 산화시킴으로써 전극 표면의 친수성을 획기적으로 향상시켜 유기 전해질 내 이온과의 상호작용을 향상시켜 전해질과의 계면에서 전자전달의 환원반응에 소요되는 반응시간과 계면저항을 감소시킴으로서 전자전달 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 1/04(2013.01) H01B 1/04(2013.01) H01B 1/04(2013.01) H01B 1/04(2013.01) H01B 1/04(2013.01) H01B 1/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120127399 (2012.11.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1454401-0000 (2014.10.17)
공개번호/일자 10-2014-0062540 (2014.05.26) 문서열기
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서선희 대한민국 경남 창원시 성산구
2 윤성환 대한민국 경남 창원시 성산구
3 이동윤 대한민국 경남 김해시
4 차승일 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0927164-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0004273-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0039257-41
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0253922-13
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0365250-99
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0466934-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0563581-85
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0563615-49
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0581267-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 분말과 분산제를 용매와 혼합하여 탄소나노튜브 분산용액을 만드는 제1 단계와;상기 제1단계의 분산용액을 기판에 코팅 또는 전사하는 제2단계; 그리고상기 2단계에서 준비된 시료를 산소분위기 하에서 250 이상 550℃이하의 온도로 후열처리하여 탄소나노튜브 표면을 산화시켜 친수성을 부여하는 제3단계;상기 제 3단계를 거친 시료를 20 내지 150℃ 온도하에서 진공건조 시켜 수분을 제거하는 제2후열처리 단계:로 이루어지는 것을 특징으로 후열처리 산화법에 의한탄소나노튜브 전극 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 3단계의 후열처리 과정에서 필요로 하는 산소는 대기 중, 별도 산소가스 주입 또는 폴리카보네이트와 같은 고분자의 산화에 의한 것 중 어느 하나 또는 둘 이상의 산소공급 환경에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 후열처리 산화법에 의한 탄소나노튜브 전극 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 기판위에 형성되는 탄소나노튜브막의 두께는 0
5 5
전도성 기판과;상기 전도성 기판 상면에 형성되고, 탄소나노튜브 분산용액을 코팅 또는 전사하고 산소분위기 하에서 250 이상 550℃ 이하의 온도로 후열처리하여 산소나노튜브 표면을 산화시켜 친수성을 부여시켜 형성된 탄소나노튜브 막;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후열처리 산화법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전극,
6 6
제 5항에 있어서, 후열처리 과정에서 필요로 하는 산소는 대기중, 별도 산소가스 주입 또는 폴리카보네이트와 같은 고분자의 산화에 의한 것 중 어느 하나 또는 둘 이상의 산소공급 환경에서 이루어지고, 탄소나노튜브막의 두께는 0
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제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 기판위에 형성된 산소분위기하의 후열처리된 탄소나노튜브 막은 20 내지 150℃ 온도하에서 진공 건조 시키는 제2후열처리됨을 특징으로 하는 후열처리 산화법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전극
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