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실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015164220
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 카바이드 전자소자를 제작하기 위한 고온 이온주입 공정을 실시할 때 이온주입에 필요한 이온주입 마스크를 제작하기 위한 방법에 관한 것으로, 실리콘 카바이드 기판 위에 건식식각이 가능한 이온주입 마스크 금속막을 형성하는 제 1단계, 상기 이온주입 마스크 금속막 상부에 제2식각방지층을 형성하고 소정의 패턴을 형성하는 제 2단계, 그리고, 상기 제2식각방지층을 마스크로 하여 상기 이온주입 마스크 금속막을 건식식각하여 패터닝하는 제 3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라 리프트-오프 방법 대신 건식식각 기술을 사용하므로 기존의 기술에 비해 이온주입 마스크 패턴의 최소선폭이 훨씬 작아지고, 이온주입 마스크의 모양이 직사각형에 가까워지므로 이온주입에 대한 마스킹 효과가 훨씬 우수한 금속 이온주입 마스크를 형성할 수 있는 이점이 있다. 실리콘 카바이드 전자소자 이온주입 마스크 건식식각
Int. CL H01L 21/266 (2006.01)
CPC H01L 21/266(2013.01) H01L 21/266(2013.01) H01L 21/266(2013.01) H01L 21/266(2013.01)
출원번호/일자 1020090111806 (2009.11.19)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0054970 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주성재 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시
3 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 김남균 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0709673-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0171449-60
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0405006-89
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0497114-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0578721-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0578704-41
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0705518-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
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실리콘 카바이드 전자소자를 제작하기 위한 고온 이온주입 공정을 실시할 때 이온주입에 필요한 이온주입 마스크를 제작하기 위한 방법에 있어서, 실리콘 카바이드 기판 위에 건식식각이 가능한 이온주입 마스크 금속막을 형성하는 제 1단계, 상기 이온주입 마스크 금속막 상부에 제2식각방지층을 형성하고 소정의 패턴을 형성하는 제 2단계, 그리고, 상기 제2식각방지층을 마스크로 하여 상기 이온주입 마스크 금속막을 건식식각하여 패터닝하는 제 3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계 전에 상기 실리콘 카바이드 기판 위에 접착력 증가 및 식각방지(etch-stop) 역할을 위한 제1식각방지층을 형성하는 과정이 더 포함되고, 상기 제 3단계 이후에 상기 제1식각방지층을 상기 제2식각방지층 및 이온주입 마스크 금속막 패턴을 마스크로 하여 식각하여 패터닝하는 과정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1단계의 이온주입 마스크 금속막의 재질이 텅스텐(W), 티타늄-텅스텐 합금(TiW), 티타늄(Ti), 질화 티타늄(TiN), 몰리브덴(Mo) 중에서 하나 또는 둘 이상의 조합으로 형성됨을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계에서 이온주입 마스크 금속막을 소정의 패턴으로 형성하기 위해 플라즈마 건식식각 공정을 사용함을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2식각방지층의 재질이 니켈임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 전자소자 제작을 위한 이온주입 마스크 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.