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반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164239
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 프로브용 웨이퍼 척 플레이트는, 알루미늄 합금재질로 이루어지고, 원판형태를 이루는 기능성부와; 상기 기능성부 내부에 위치하고, 인바 합금 재질로 이루어져 강선 또는 판재 형태로 이루어는 열팽창 억제부;로 구성되어 상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되되, 상기 열팽창 억제부는, 상온 부근에서 1.2×10-6/℃ 이하의 선팽창계수(α)를 나타내는 인바합금 재질로 이루어지고, 상기 척플레이트 전체 부피에 대하여 부피분율은 30Vol.% 내지 80Vol.% 로 이루어지도록 하고, 직경이 1mm 내지 5mm 정도의 인바강선으로 이루어지도록 한다. 그리고 판재의 경우는 두께 0.5mm 내지 3mm 정도의 인바판재를 사용하도록 한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 척 플레이트는 고강도 및 고열전도뿐만 아니라, 표면조도를 악화시키는 선팽창계수를 최소화시키기 때문에, 기존 척의 문제점을 최소화할 뿐만 아니라 향후 웨이퍼 직경의 대형화, 파인피치에 의한 고밀도화 및 고속스위칭에 의한 발열문제로 반드시 초래하게 될 표면조도 문제를 해결함으로써 반도체 웨이퍼 검사의 생산성을 획기적으로 개선할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01R 1/073 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 1/0408(2013.01) G01R 1/0408(2013.01) G01R 1/0408(2013.01) G01R 1/0408(2013.01)
출원번호/일자 1020130073859 (2013.06.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1444808-0000 (2014.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병걸 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0573810-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0248473-43
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0533746-74
4 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0421964-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원판 형태로 이루어지고 상단에 위치하는 척 플레이트와, 히터를 포함하는 하단이 상호 용접 결합되어 이루어지는 반도체 웨이퍼 프로브용 척에 있어서,상기 척 플레이트는,알루미늄 합금재질로 이루어지고, 원판형태를 이루는 기능성부와;상기 기능성부 내부에 위치하고, 인바 합금 재질로 이루어지는 열팽창 억제부;로 구성되어상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트
2 2
제 1항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,상온에서 1
3 3
제 2항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,직경이 1mm 내지 5mm로 이루어지는 인바강선이 복수개로 배열되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트
4 4
제 2항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,두께가 0
5 5
원판 형태로 이루어지고 상단에 위치하는 척 플레이트와, 히터를 포함하는 하단이 상호 용접 결합되어 이루어지는 반도체 웨이퍼 프로브용 척에 있어서,상기 척 플레이트는,인바 합금 재질로 이루어져 강선 또는 판재 형태로 이루어는 열팽창 억제부를 배치한 상태에서, 알루미늄합금의 용해 주조를 부어 원판 형태의 기능성부가 외면에 형성되도록 하여 상기 열팽창억제부에 의해 온도 변화에 따른 열팽창이 억제되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 프로브용 척 플레이트 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 열팽창 억제부는,상온에서 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.