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Si 템플릿 제조방법 및 그 Si 템플릿 위에 성장된 SiC 단결정 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164248
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiC 단결정 박막을 증착하기 위한 Si 기판을 템플릿화하기 위한 제조방법 및 그 위에 성장된 SiC 단결정 박막에 관한 것으로서, 면방위 (100)의 Si 기판을 열산화시켜 열산화막을 성장시킨 후, 상기 열산화막을 마이크로패터닝(micropatterning)하여 규칙적으로 배열된 사각형 구조를 형성하고, 습식공정에 의해 에칭하여 Si 기판 표면에 (111)면들로 구성된 역피라미드 구조의 Si 템플릿(template)을 제조하는 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 제조방법 및 상기 Si 템플릿 위에 성장된 SiC 단결정 박막을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 Si 기판을 이용한 SiC 단결정 박막 성장시 쉽게 형성되어 전자소자로의 적용을 막았던 기판 표면의 기공형성을 원천적으로 제거하고 초기 형성된 고밀도의 결함들이 상호 상쇄되는 구조를 저가의 습식공정으로 제공함으로써, 고품질의 SiC 단결정 박막을 저가로 생산할 수 있으며 고출력 소자의 제조를 용이하게 하는 이점이 있다. Si 기판 템플릿 SiC 단결정 박막 역피라미드 결함 습식공정
Int. CL C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01)
CPC C30B 25/04(2013.01) C30B 25/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090114666 (2009.11.25)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0058014 (2011.06.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방 욱 대한민국 경상남도 창원시
2 주성재 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 강인호 대한민국 경상남도 진주시
4 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 김남균 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0725586-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.29 수리 (Accepted) 9-1-2011-0037892-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0554333-01
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0942432-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1044782-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0074478-74
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0074465-81
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0445088-19
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.08.30 수리 (Accepted) 7-1-2012-0040540-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
면방위 (100)의 Si 기판을 열산화시켜 열산화막을 성장시킨 후, 상기 열산화막을 마이크로패터닝(micropatterning)하여 규칙적으로 배열된 사각형 구조를 형성하고, 습식공정에 의해 에칭하여 Si 기판 표면에 (111)면들로 구성된 역피라미드 구조의 Si 템플릿(template)을 제조하는 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 마이크로패터닝하여 규칙적으로 배열된 사각형의 각 변은 Si(110) 방향과 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 습식공정에 의한 에칭은, 농도 20%~25%, 온도 50℃~80℃의 KOH수용액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 제조방법
4 4
면방위 (100)의 Si 기판을 열산화시켜 열산화막을 성장시킨 후, 상기 열산화막을 마이크로패터닝(micropatterning)하여 규칙적으로 배열된 사각형 구조를 형성하고, 습식공정에 의해 에칭하여 Si 기판 표면에 (111)면들로 구성된 역피라미드 구조가 형성된 Si 템플릿(template)에 Si-함유가스와 C-함유가스를 공급하여 Si 템플릿 상층에 3C-SiC 박막이 증착된 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 위에 성장된 SiC 단결정 박막
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면방위 (100)의 Si 기판을 열산화시켜 열산화막을 성장시킨 후, 상기 열산화막을 마이크로패터닝(micropatterning)하여 규칙적으로 배열된 사각형 구조를 형성하고, 습식공정에 의해 에칭하여 Si 기판 표면에 (111)면들로 구성된 역피라미드 구조가 형성된 Si 템플릿(template)에 Si-함유가스와 C-함유 가스를 공급함과 동시에 질소가스를 공급하여 Si 템플릿 상층에 n-type 3C-SiC 박막이 증착된 것을 특징으로 하는 Si 템플릿 위에 성장된 SiC 단결정 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.