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테이퍼형 레이저 다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2015164257
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품위 광출력 빔 특성을 갖도록 설계된 고출력 레이저 다이오드 소자에 관한 관한 것이다. 본 발명에 따른, 테이퍼형 레이저 다이오드 소자는, 반도체 기판 상에 순차 적층한 N형 클래드층, 제1코어층 활성층, 제2코어층 및 P형 클래드층을 포함하며, 상기 P형 클래드층 위에 일정 두께로 상기 P형 클래드층과 같은 재질로 형성된 테이퍼형 광 도파로층을 포함하되, 상기 테이퍼형 광 도파로층에서 길이 방향으로 일정 간격으로 측정한 굴절율이 선형적 변화가 이루어지도록, 상기 테이퍼형 광 도파로층은 기하학적으로 비직선적으로 폭이 증가되는 모양으로 형성된다.
Int. CL H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01)
CPC H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01)
출원번호/일자 1020110130393 (2011.12.07)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1368300-0000 (2014.02.19)
공개번호/일자 10-2013-0063818 (2013.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허두창 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 전성채 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 경상남도 창원시 성산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0972671-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0067291-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0319299-14
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0617423-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0705940-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0705939-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.09 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0722968-46
9 보정요구서
Request for Amendment
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0097386-83
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0114706-45
11 등록결정서
Decision to grant
2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0791788-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 3-5족 화합물 반도체를 이용해 순차 적층한 N형 클래드층, 제1코어층, 활성층, 제2코어층 및 P형 클래드층을 포함하고, 상기 P형 클래드층 위에 일정 두께로 상기 P형 클래드층과 같은 재질에 의해 기하학적으로 비직선적으로 폭이 증가되는 모양으로 형성된 테이퍼형 광 도파로층을 포함하되,상기 N형 클래드층은 N형 도펀트가 도핑된 층이고, 상기 P형 클래드층은 P형 도펀트가 도핑된 층이며, 상기 제1코어층과 상기 제2코어층은 N형 도펀트나 P형 도펀트로 도핑되지 않은 인트린직(intrinsic)으로 형성되며, 상기 활성층은 양자 우물층과 배리어층을 복수회 반복하여 형성한 층이고,상기 테이퍼형 광 도파로층의 폭이 길이 방향을 따라 연속적인 곡선 형태로 증가하되, 상기 테이퍼형 광 도파로층에서 길이 방향으로 일정 간격으로 측정한 유효 굴절율이 선형적 변화가 이루어지도록 형성한 것을 특징으로 하는 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 3-5족 화합물 반도체는 GaN, GaAs, 또는 InP을 포함하는 것을 특징으로 하는 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 양자 우물층은 GaAsP, InGaAsP, 또는 InGaN층으로 이루어지며, 상기 배리어층은 InGaAlP층, InGaAsP층, AlGaAs, 또는 GaN 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 테이퍼형 광 도파로층의 폭이 좁은 쪽 끝에 폭이 일정한 릿지형 도파로층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 테이퍼형 광 도파로층의 해당 길이의 5~10% 영역에서 그 폭의 80~90%가 증가하는 모양인 것을 특징으로 하는 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.