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P-I-N 포토다이오드 제조 방법에 있어서,(a)이온주입에 의하여 실리콘 웨이퍼에 3족 불순물 및 5족 불순물을 주입하여, 수직방향으로 P-영역, I-영역 및 N-영역을 형성하는 단계; (b)상기 P-영역이 형성된 실리콘 웨이퍼 표면에 IMD(Inter Metallic Dielectric)층을 형성하는 단계; 및 (c)상기 형성된 IMD층에 컨택 비아(Contact Via) 및 메탈 라인을 형성하는 단계를 구비하고,상기 (b)단계는, 열산화(Thermal Oxidation)에 의하여 열산화막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계 이전에 상기 실리콘 웨이퍼의 상부면 및 하부면에 보호용 산화막을 형성하는 단계; 및상기 (a)단계 이후에 상기 보호용 산화막을 제거하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 보호용 산화막은,열산화에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (a)단계는,(a1)상기 P-영역을 형성하기 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상부면으로부터 상기 3족 불순물을 주입하는 단계; 및(a2)상기 N-영역을 형성하기 위하여 상기 실리콘 웨이퍼의 하부면으로부터 상기 5족 불순물을 주입하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 P-영역을 형성하기 위해 주입되는 상기 3족 불순물은 붕소(Boron)인 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 N-영역을 형성하기 위해 주입되는 상기 5족 불순물은 인(Phosphorus)인 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 메탈 라인은,상기 IMD층 내에 메탈을 스퍼터링(Sputtering)하여 메탈층을 형성하고, 상기 형성된 메탈층을 패터닝하여 형성되는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 메탈은,AlCuSi인 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 메탈층을 형성하기 전에 접착층(adhesion layer)을 미리 형성하는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 접착층은,티타늄(Ti)을 상기 IMD층 내에 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 하는 P-I-N 포토다이오드 제조 방법
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