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음극부와 상기 음극부로부터 소정거리 이격되어 위치하는 게이트부의 전위차를 통해 형성되는 전계를 통해 전자가 방출되는 전계방출 엑스선원에 있어서,상기 음극부에 연결되며, 게이트 단자의 전압 크기에 따른 소정의 전류를 상기 음극부로 전송하여 상기 음극부에서의 전자 방출량을 조정하는 트랜지스터; 및상기 트랜지스터의 상기 게이트 단자에 전기적으로 연결되며, 소정의 광원으로부터 조사되는 광에 의해 전압을 발생시켜 상기 게이트 단자의 전압 크기를 조절하는 광전 소자를 포함하는, 광 제어 방식의 전계방출 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터 및 상기 광전 소자는 일체형 또는 분리형으로 형성되는, 광 제어 방식의 전계방출 엑스선원
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제1항에 있어서,상기 광원은 상기 광전 소자와 비전기적으로 연결되며, 적외선, 가시광선 및 자외선 광원 중 어느 하나를 이용하는, 광 제어 방식의 전계방출 엑스선원
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멀티 전자 방출 소스를 이용하여 멀티 초점을 갖는 멀티 엑스선원에 있어서,멀티 전자 방출을 위한 다수의 음극부;상기 다수의 음극부로부터 소정거리 이격되어 위치하며, 상기 다수의 음극부와의 전위차를 통해 전계를 형성하는 공통 게이트부;상기 다수의 음극부 각각에 연결되며, 게이트 단자의 전압 크기에 따른 소정의 전류를 상기 음극부로 전송하여 상기 다수의 음극부에서의 전자 방출량을 조정하는 다수의 트랜지스터; 및 상기 다수의 트랜지스터의 게이트 단자에 전기적으로 연결되며, 소정의 광원으로부터 조사되는 광에 의해 전압을 발생시켜 상기 트랜지스터의 게이트 전압 크기를 조절하는 다수의 광전 소자를 포함하는, 광 제어 방식의 멀티 전계방출 엑스선원
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제4항에 있어서,상기 다수의 음극부에서 방출되는 전자와 충돌하여 엑스선을 발생시키는 단일 양극부를 더 포함하는, 광 제어 방식의 멀티 전계방출 엑스선원
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 다수의 트랜지스터 및 상기 다수의 광전 소자는 각각 일체형 또는 분리형으로 형성되는, 광 제어 방식의 멀티 전계방출 엑스선원
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 다수의 광원은 상기 다수의 광전 소자 각각에 비전기적으로 연결되며, 적외선, 가시광선 및 자외선 광원 중 어느 하나를 이용하는, 광 제어 방식의 멀티 전계방출 엑스선원
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