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산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164366
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법에 관한 것으로, 금속기판을 양극 산화시켜 산화물 금속기판을 형성시키는 제1단계와, 포토리소그라피 공정을 이용하여 상기 산화물 금속기판 상면에 포토레지스트층 패턴을 형성시키는 제2단계와; 전해액을 이용하여 상기 포토레지스트층 패턴이 형성된 산화물 금속기판을 에칭시켜 산화물 금속기판에 수용공간을 형성시키는 제3단계와; 상기 포토레지스트층을 제거시키고, 상기 산화물 금속기판 상면에 메탈 마스크를 위치시키는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 산화물 금속기판의 표면에 촉매금속층을 형성시키는 제5단계와; 상기 제5단계를 거친 산화물 금속기판의 촉매금속층 상면에 탄소나노튜브층을 형성시키고 메탈마스크를 제거시켜 상기 수용공간 내부에만 탄소나노튜브층이 존재하도록 하는 제6단계;를 포함하여 구성되는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법을 기술적 요지로 한다.이에 따라, 양극산화에 의해 형성된 산화물의 격벽 표면에 주기적 혹은 일정 패턴을 갖는 형태의 크기와 모양을 가지고 표면을 일정 깊이로 식각하여 산화물 격벽사이에 수용공간을 형성하고 형성된 내부의 수용공간에 탄소나노튜브 전자방출원을 형성시킴에 의해 외부 이온 및 입자 등의 충격에 의해 전자방출원이 훼손되는 것을 방지시킬 수 있음은 물론, 금속 표면의 산화물 격벽으로 인하여 수용공간에 형성된 탄소나노튜브 전자방출원의 거리를 조정할 수 있어서 스크린효과(Screen Effect)의 방지로 인한 전류방출효율의 증대를 꾀할 수 있으며 산화물 격벽이 절연체로써 역할을 할 수 있기 때문에 우수한 절연성도 담보할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 35/06 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020130089343 (2013.07.29)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1564699-0000 (2015.10.26)
공개번호/일자 10-2015-0014108 (2015.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종욱 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)현민피앤디 경기도 화성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0683355-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0453637-98
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0831532-12
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0831558-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0664822-21
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1138370-24
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-1268546-23
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0101578-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0204946-16
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0049304-60
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0313247-33
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0313243-51
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0283419-98
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0624800-99
16 등록결정서
Decision to grant
2015.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0515056-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속기판을 양극 산화시켜 절연체인 산화물 격벽용 표면이 형성된 산화물 금속기판을 형성시키는 제1단계와, 포토리소그라피 공정을 이용하여 상기 산화물 금속기판의 산화물 격벽용 표면 상면에 포토레지스트층 패턴을 형성시키는 제2단계와;전해액을 이용하여 상기 포토레지스트층 패턴이 형성된 산화물 금속기판을 에칭시켜 산화물 금속기판에 수용공간을 형성시키는 제3단계와;상기 포토레지스트층을 제거시키고, 상기 산화물 금속기판 상면에 메탈 마스크를 위치시키는 제4단계와; 상기 제4단계를 거친 산화물 금속기판의 표면에 촉매금속층을 형성시키는 제5단계와;상기 제5단계를 거친 산화물 금속기판의 촉매금속층 상면에 탄소나노튜브층을 형성시키고 메탈마스크를 제거시켜 상기 수용공간 내부에만 탄소나노튜브층이 존재하도록 하는 제6단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속기판은 티타늄금속기판 또는 알루미늄 금속기판이 됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2단계의 포토레지스트층 패턴은 포토레지스트 층에 대하여 포토 마스크를 배치하고, 노광 과정을 통하여 패터닝을 수행하여 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 포토 마스크에 형성된 문양은 등간격으로 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 촉매금속층은 니켈 또는 철을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 촉매금속층은 스퍼터링에 의해 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 촉매금속층 하면에는 버퍼층이 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 버퍼층은 티타늄(Ti)을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층의 형성은 화학증착법(CVD)을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 산화물에 의해 격리된 탄소나노튜브 전자방출원 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.