맞춤기술찾기

이전대상기술

고효율 스캔용 센서를 이용한 광 검출 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015164415
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 서로 마주보는 두 개의 대향 PCB의 안쪽에 교대로 장착한 에지온 센서칩들을 이용하여, 인체 조직 등 대상체를 투과하여 상기 두 개의 PCB 사이의 좁은 틈으로 입사되는 X-선을 포함한 방사선을 감지하여 산업용 보안 검색 및 대상체의 해부학적 영상을 획득하기 위한 광 검출 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 광 검출 장치는, 입사되는 광을 집속하여 통과시키기 위한 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터, 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 이미지 센서 기판을 포함하고, 상기 이미지 센서 기판은, 일정 거리 이격되어 대향된 제1 PCB 및 제2 PCB 각각의 안쪽에 스트립(strip) 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착하고, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지한다. 광전변환소자, 에지온 센서 칩, 방사선 광검출장치, 대향 PCB
Int. CL A61B 6/12 (2006.01) A61B 6/02 (2006.01)
CPC A61B 6/42(2013.01) A61B 6/42(2013.01) A61B 6/42(2013.01) A61B 6/42(2013.01) A61B 6/42(2013.01) A61B 6/42(2013.01)
출원번호/일자 1020090116237 (2009.11.27)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-1092206-0000 (2011.12.03)
공개번호/일자 10-2011-0059487 (2011.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20111212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.27)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전성채 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 김봉회 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 허영 대한민국 경기도 군포시
4 황윤금 대한민국 경상남도 함안군
5 서창우 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0733753-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0085845-97
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0278281-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0278280-25
6 등록결정서
Decision to grant
2011.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0587247-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입사되는 광을 집속하여 통과시키기 위한 복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터; 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 이미지 센서 기판을 포함하고, 상기 이미지 센서 기판은, 일정 거리 이격되어 대향된 제1 PCB 및 제2 PCB 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착하고, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광을 감지하는 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 입사되는 광은 X-선을 포함한 방사선인 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 PCB에 장착된 제1 복수의 에지온 센서칩들이 일정 거리 이격되어 배치되고, 상기 제2 PCB에 장착된 제2 복수의 에지온 센서칩들은 각각의 양끝 광전변환소자들의 위치가 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들 각각의 양끝 광전변환소자들과 수직으로 중첩 또는 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
4 4
제3항에 있어서, 각 칩 상의 최외곽의 스트립 형태의 광전변환소자 한 개가 서로 수직으로 중첩되거나 상기 광전변환소자들이 형성된 피치만큼 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
5 5
제3항에 있어서, 상기 콜리메이터의 상기 복수의 홀들은 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치와 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들의 위치에 대응되는 각각의 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
6 6
제3항에 있어서, 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들에 형성된 광전변환소자들의 단면부로 수직하게 상기 투과광이 입사되도록 상기 제1 복수의 에지온 센서칩들이 상기 콜리메이터에 대하여 서로 다른 각도를 갖도록 상기 제1 PCB에 장착되며, 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들에 형성된 광전변환소자들의 단면부로 수직하게 상기 투과광이 입사되도록 상기 제2 복수의 에지온 센서칩들이 상기 콜리메이터에 대하여 서로 다른 각도를 갖도록 상기 제2 PCB에 장착된 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 대상체는 여성의 유방 또는 다른 인체 부위나 조직인 것을 특징으로 하는 광 검출 장치
8 8
복수의 홀들을 구비하는 콜리메이터를 이용하여 입사되는 광을 집속하여 통과시키는 단계; 및 상기 콜리메이터로부터의 광이 대상체를 투과한 투과광을 감지하여 전기적 신호를 생성하는 단계를 포함하고, 상기 전기적 신호를 생성하는 단계는, 일정 거리 이격되어 대향된 각각의 안쪽에 스트립 형태의 복수의 광전변환소자들이 구비된 복수의 에지온 센서칩들을 장착한 제1 PCB 및 제2 PCB로 구성된 이미지 센서 기판을 이용하여, 상기 제1 PCB 및 상기 제2 PCB 사이에서 상기 복수의 광전변환소자들의 단면부로 입사되는 상기 투과광에 대하여 감지하여 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.