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광기능성 고분자를 이용한 고분자 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015164608
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광기능성 고분자를 전도성 고분자와 브랜딩하거나 전도성 고분자막 양쪽으로 광기능성 고분자를 초박막으로 코팅한 후에, 특정 광원을 이용하여 전극인 금속막과 접한 계면에 인접해 있는 전도성 고분자의 분자들을 한 방향으로 정렬하는 방법을 사용함으로써, 상기 계면에서 발생하는 주울열을 감소시킨 고분자 발광소자에 관한 기술이다.
Int. CL H01L 31/12 (2006.01) H05B 33/00 (2006.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1019950042232 (1995.11.20)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0030944 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우형석 대한민국 경기도성남시분당구
2 이재경 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박희진 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 비동 비****호 (문정동, 문정역테라타워)(세기국제특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167136-22
2 특허출원서
Patent Application
1995.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167135-87
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167137-78
4 대리인변경신고서
Agent change Notification
1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167138-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005575-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009778-48
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0219940-63
8 출원취하서
Request for Withdrawal of Application
1999.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5329162-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2000-0063305-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2000-0066277-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105550-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105415-35
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5123887-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5049999-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-5092832-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0054125-21
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5041626-28
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판 상부에 투명전극을 코팅하는 단계와, 상기 투명전극이 코팅된 유리기판 상부에, 광기능성 고분자를 이용해 막 표면의 분자들을 배향시킨 전도성 고분자막을 코팅하는 단계와, 상기 전도성 고분자막 상부에 금속막을 진공증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 발광특성을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 광기능성 고분자는 특정파장의 광원에 의하여 아조기의 발색단으로부터 트랜스-모드와 시스-모드의 상호변환이 가능한 광이성화 특성을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 광기능성 고분자를 이용해 상기 전도성 고분자막의 표면을 배향시키기 위해, 전도성 고분자와 광기능성 고분자를 브랜딩한 후에 편광된 특정광원을 조사하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 광기능성 고분자를 이용해 상기 전도성 고분자막의 표면을 배향시키기 위해, 전도성 고분자의 한쪽 또는 양쪽 표면에 초박막의 광기능성 고분자를 다중 코팅한 후에 편광된 특정광원을 조사하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.