맞춤기술찾기

이전대상기술

고분자액정배향막의제조방법및그제조장치

  • 기술번호 : KST2015164671
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정 디스플레이의 액정을 배향하기 위해 형성되는 고분자 액정 배향막의 제조방법 및 그 제조장치 관한 것으로, 액정배향막을 제조하기 위한 배향막 제조장치인 이온원을 주사할 수 있고, 배향막을 진공중착에 의해 형성할 수 있는 진공 시스템을 구성하여 형성되는 액정배향막의 분자들을 배열하기 위한 별도의 공정이 필요없이 조사되는 이온원을 이용하여 액정배향막의 분자들을 배열함으로서, 전체 액정배향막의 두께가 균일하며 러빙공정에 의해 발생할 수 있는 결함을 최소화시킨 액정배향막을 제조할 수 있다.
Int. CL G02F 1/1337 (2006.01)
CPC G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01)
출원번호/일자 1019950041047 (1995.11.13)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자 10-0210370-0000 (1999.04.26)
공개번호/일자 10-1997-0028725 (1997.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (19990715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.12)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 우형석 대한민국 경기도성남시분당구
2 김형석 대한민국 서울특별시노원구
3 이재경 대한민국 경기도성남시분당구
4 박병주 대한민국 서울특별시마포구
5 박용준 대한민국 서울특별시노원구
6 황하근 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박희진 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 비동 비****호 (문정동, 문정역테라타워)(세기국제특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 사단법인 고등기술연구원 연구조합 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1995.11.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0162730-72
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.11.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0162731-17
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0162732-63
4 대리인변경신고서
Agent change Notification
1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0162733-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005575-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009778-48
7 등록사정서
Decision to grant
1999.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0042921-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2000-0063305-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2000-0066277-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105550-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105415-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5123887-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5049999-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-5092832-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0054125-21
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5041626-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공챔버 내부의 한쪽 벽면에 설치되어 있는 배기구와, 상기 진공챔버 내부의 한쪽에 설치되어 고에너지의 이온 원을 조사 하기 위한 이온원 바디와, 상기 진공챔버 내부의 다른 한쪽에 설치되어 배향 물질을 증기 상태로 만들어 방사하는 이퓨젼 셀과, 상기 이퓨젼 셀의 상부에 설치되어 방사되는 배향물질의 증기를 차단하는 셔터와, 상기 진공챔버 내부의 상부에 설치되어 기판을 고정시키는 기판홀더와, 상기 기판홀더 하부에 설치되어 기판에 형성되는 배향막의 두께를 측정하는 두께 측정기를 포함하는 액정배향막 제조장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 이온원을 바디는 진공챔버 내부에서 모터구동에 의해 상하작용과 회전작용의 두가지 자유도를 이용하여 기판과 특정 각도를 유지하는 것을 특징으로 하는 액정배향막 제조장치

3 3

배향막의 재료인 고분자를 진공챔버 내부의 이퓨젼 셀에 넣고 기판홀더에 기판을 장착한 다음 진공챔버 내부를 원하는 진공상태로 만드는 단계와, 상기 진공 상태의 진공챔버 내부의 셔터와 두께측정기를 오픈하는 단계와, 상기 이퓨젼 셀에 열을 가하여 배향막의 재료인 고분자를 증기상태로 증발시켜 기판에 코팅하면서 두께측정기를 이용하여 두께를 모니터링 하는 단계와, 상기 기판에 원하는 두께로 고분자 배향막이 코팅된 후, 상기 이퓨젼 셀에서 방사되는 배향물질의 중기를 셔터로 차단하면서 이온원을 조사하는 이온원 바디를 기판과 특정한 각을 이루는 높이까지 상승시키는 단계와, 상기 배향막이 코팅된 기판과 특정한 각을 이루는 높이까지 상승한 이온원 바디에서 이온원을 배향막에 조사하는 단계를 포함하는 액정배향막의 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 배향막의 재료로 사용되는 고분자는 절연 고분자 또는 전기 전도성을 갖는 전도성 고분자인 것을 특징으로 하는 액정배향막의 제조방법

5 5

제3항에 있어서, 상기 이온온 바디에서 주사되는 이온원을 약 100
지정국 정보가 없습니다

패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.