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3극 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판과, 상기 하부기판에 형성되어 있는 필드 에미터의 게이트 전극 상부에 복수개가 형성되어 있는 스페이서와, 상기 필드 에미터와 일정한 거리를 유지하면서 스페이서의 설치되어 있는 가속전극과, 상기 가속전극이 설치되어 있는 스페이서 상단에 접합되어 있는 형광체와 애노드 전극이 형성되어 있는 상부 기판을 포함하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자
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제1항에 있어서, 상기 3극 필드 에미터는 금속 포스트를 갖는 다이아몬드 3극 필드 에미터인 것을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자
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제1항에 있어서, 상기 스페이서의 길이는 10mm이상인 것을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자
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제1항에 있어서, 상기 가속전극은 포커싱 그리드인 것을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자
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하부기판에 금속 포스트를 갖는 다이아몬드 3극 필드 에미터를 형성하는 제1단계와, 상기 하부기판과 일정한 간격을 두고 접합될 상부 기판에 애노드 전극을 형성하고, 그 상부에 화소 단위로 형광체를 형성하는 제2단계와, 제1단계에 의해 제조된 하부기판 상의 게이트 전극 상부에 다수개의 스페이서를 직접 형성하거나 별도로 제조된 스페이서를 설치하는 제3단계와, 상기 제3단계의 스페이서에 필드 에미터와 일정한 간격을 두고 가속전극을 설치하는 제4단계와, 상기 제4단계의 가속전극이 설치된 스페이서 상부에 제2단계의 상부기판을 접합시키는 제5단계와, 상기 제5단계의 접합된 상하부 기판에 진공실링 공정을 실시하는 제6단계를 포함하는 가속전극을 갖는 필드 에미터의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제1단계는 하부기판에 포스트 금속층과 다이아몬드 박막 그리고 마스크 금속층을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 마스크 금속층 상부에 포토레지스트를 코팅하고 원하는 부분에 다수개의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴 이외의 노출된 마스크 금속층을 식각하여 금속 마스크를 형성하는 단계와, 상기 금속 마스크의 형성으로 인해 노출된 다이아몬드 박막을 식각하여 다이아몬드 에미터를 형성하고, 계속해서 포스트 금속층을 식각하여 금속 포스트와 캐소드 전극을 형성하는 단계와, 상기 캐소드 전극 상부로부터 절연체를 다이아몬드 에미터의 크기보다 높게 증착한 후 계속해서 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 다이아몬드 에미터 상부의 금속 마스크와 절연체 그리고 게이트 전극을 제거하는 단계를 포함하는 금속 포스트를 갖는 다이아몬드 3극필드 에미터 제조방법을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 마스크 금속층과 포스트 금속층은 선택식각을 할 수 있는 서로 다른 금속인 것을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 마스크 금속층과 그 상부의 절연체 및 게이트 전극은 리프트-오프 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 가속전극을 갖는 전계방출 표시소자의 제조방법
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