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두 전극의 구조가 적어도 2개 이상의 단위전극셀들이 모인 다중전극 어레이로 구성되어 있고, 상기 두 전극 사이에 가스를 유입하여 방전에 의해 플라즈마를 생성한 후 상기 플라즈마를 피처리물에 분사하여 대형 피처리물의 표면을 처리하도록 된 상압 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 단위전극셀은, 봉형의 내부전극과, 상기 내부전극을 포함하는 다각형 관의 외부전극으로 이루어져, 상기 내부전극과 상기 외부전극 사이에 공간이 형성되어 관을 이루고, 이 관의 일단에 가스가 유입되어 플라즈마가 형성된 후 타단을 통해 외부로 분사되며, 상기 내부전극이나 상기 외부전극 중 어느 한 전극에는 유전체가 도포된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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두 전극의 구조가 적어도 2개 이상의 단위전극셀들이 모인 다중전극 어레이로 구성되어 있고, 상기 두 전극 사이에 가스를 유입하여 방전에 의해 플라즈마를 생성한 후 상기 플라즈마를 피처리물에 분사하여 대형 피처리물의 표면을 처리하도록 된 상압 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 단위전극셀은, 봉형의 내부전극과 상기 내부전극을 포함하는 원통형의 외부전극으로 이루어져, 상기 내부전극과 상기 외부전극 사이에 공간이 형성되고, 이 공간에 가스가 유입되어 플라즈마가 형성된 후 외부로 분사되며, 상기 내부전극이나 상기 외부전극 중 어느 한 전극에는 유전체가 도포된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 다중전극 어레이는 상기 단위전극셀들이 일렬로 배열된 형태인 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 단위전극셀의 내부전극이 와이어형인 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 단위전극셀의 외부관에 구멍이 형성되고 상기 관의 일단 혹은 상기 관의 양단으로 가스가 유입되어 상기 외부관에 형성된 상기 구멍으로 플라즈마를 분사하거나 상기 외부관에 형성된 상기 구멍으로 가스를 유입하여 관의 일단 혹은 양단으로 플라즈마를 분사하는 구조인 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 단위전극의 상기 내부전극이 상기 외부전극보다 짧게 함몰되어 이상 방전을 방지하도록 된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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두 전극의 구조가 적어도 2개 이상의 단위전극셀들이 모인 다중전극 어레이로 구성되어 있고, 상기 두 전극 사이에 가스를 유입하여 방전에 의해 플라즈마를 생성한 후 상기 플라즈마를 피처리물에 분사하여 대형 피처리물의 표면을 처리하도록 된 상압 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 단위전극셀의 두 전극이 판형으로 구성되고, 두 판형 사이에 공간이 형성되어 관을 이루되 상기 두 판형 전극중 어느 한 전극 면에는 유전체가 도포된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제8항에 있어서, 상기 두 판형 전극 사이에 공간이 형성되어 관을 연장하되 테이핑을 주어 관의 일단에 좁은 구를 형성하고, 관의 타단에는 슬릿을 형성하여 상기 좁은 구로 가스를 유입한 후 슬릿으로 플라즈마를 분사하도록 된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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제8항에 있어서, 상기 두 판형 전극 사이에 공간이 형성되어 관을 연장하되 테이핑을 주어 관의 일단에 좁은 구를 형성하고, 관의 타단은 밀봉함과 아울러 관의 평면에 다수의 구멍을 뚫어 상기 좁은 구로 가스를 유입한 후 상기 구멍으로 플라즈마를 분사하거나 상기 구멍으로 가스를 유입한 후 상기 좁은 구로 플라즈마를 분사하도록 된 것을 특징으로 하는 다중전극 배열을 이용한 플라즈마 표면처리장치
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