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고분자 발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015165390
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 고분자등과 같이 전장발광 특성을 갖는 고분자를 이용한 고분자 발광소자를 제조하는데 있어서, 고분자와 금속간의 계면에서 발생하는 에너지의 손실로 인하여 고분자 발광소자의 수명단축 및 효율의 저하를 초래하는 것을 개선시키기 위하여 고분자 표면에 금속 전극물질을 코팅하기 전에 고분자의 표면을 러빙을 실시한 후, 금속을 코팅함으로써 고분자와 금속의 계면에서 발생되는 열에너지를 감소시킴으로서 고효율, 장수명의 고분자 발광소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/12 (2006.01) H05B 33/00 (2006.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1019950042233 (1995.11.20)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0030945 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우형석 대한민국 경기도성남시분당구
2 이재경 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박희진 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 비동 비****호 (문정동, 문정역테라타워)(세기국제특허법률사무소)
2 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167140-16
2 특허출원서
Patent Application		 1995.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167139-69
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167141-51
4 대리인변경신고서
Agent change Notification		 1998.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0167142-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005575-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009778-48
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0219939-16
8 출원취하서
Request for Withdrawal of Application		 1999.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5329161-07
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2000-0063305-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2000-0066277-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105550-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105415-35
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5123887-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5049999-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-5092832-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5041626-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0054125-21
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리기판 상부에 투명전극을 코팅하고 쇼트 방지를 위해 일부분을 식각하는 단계와, 상기 노출된 유리기판과 투명전극 상부에 고분자 박막을 형성하는 단계와, 상기 고분자 박막의 표면 분자들을 원하는 일정한 방향으로 배열시키는 단계와, 상기 표면의 분자들의 일정한 방향으로 배향된 고분자 박막의 상부에 유리기판에 형성된 전극의 반대전극인 금속을 코팅하는 단계를 포함하는 고분자 발광소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기의 고분자 박막의 분자들을 일정한 방향으로 배열시키는 방법은 액정 디스플레이의 액정 배향막 제조시에 사용되는 러빙법으로 분자들을 배열시키는 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기의 고분자는 정공과 전자를 제공하여 전기전도성을 갖는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자는 폴리다이오펜, 디메톡시 페닐렌 비닐린, p-페닐렌 비닐린, 프로마인 페닐렌 비닐린, 파라 페닐렌, 그리고 1, 4-디스티릴벤젠인 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자는 다양한 칼라를 구현하기 위하여 전도성 고분자의 기본 골격에 사이드 그룹을 치환하거나 두가지 이상의 전도성 고분자를 합성 또는 혼합하는 방법으로 제조된 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 발광소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.