| 1 |
1
재료 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 시스템에 있어서,상부에 표면 처리 대상인 재료가 안착되는 접지 치구;플라즈마 에칭 처리를 위한 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및RF 에너지를 인가받아 상기 접지 치구와의 사이에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 상기 공정가스를 플라즈마화하여 상기 재료의 표면을 플라즈마 에칭 처리하는 에칭 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 공정가스는 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 공정가스 공급부는상기 공정가스의 공급을 위한 공정가스 공급원;상기 공정가스 공급원으로부터 상기 에칭 전극부로 상기 공정가스를 유도하는 공정가스 유로; 및상기 공정가스 유로에 마련되어 상기 공정가스를 혼합시키는 공정가스 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 에칭 전극부는 에칭 전극 몸체;상기 에칭 전극 몸체에 마련되며 RF 전원 장치에 연결되어 상압에서 유전체 장벽 방전을 일으키는 에칭 전극; 및상기 에칭 전극을 감싸는 유전체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 재료는 유리 및 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 접지 치구는 직선왕복 이동이 가능하도록 마련되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 시스템
|
| 7 |
7
친수성 또는 오염방지 특성을 갖춘 유리를 생산하는 방법에서, 헬륨(He) 및 과불화탄소(CF4)를 공정가스로 하는 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 것을 특징으로 하는 유리 생산 방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서, 유리의 생산 단계 중 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 유리 생산 방법
|
| 9 |
9
제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 유리의 생산 단계는 원료투입, 용융, 성형, 서냉, 검사, 절단 및 출하의 단계를 포함하며 서냉 단계 이후 출하 단계 전의 단계에서 상압 플라즈마 에칭 처리 과정이 적용된 유리 생산 방법
|
| 10 |
10
물방울 접촉각 0도 이상 10도 이하인, 친수성 및 오염방지 특성을 가진 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서, 표면 조도 2㎚이상 1OO㎚이하인 상압 플라즈마 에칭 처리된 유리
|
