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기판의 소정부분에 형성되어 있는 하부 게이트 전극과, 상기 하부 게이트 전극과 같은 크기로 평행하게 형성되어 있는 에지형 에미터와, 상기 하부 게이트 전극 또는 에지형 에미터의 모서리보다 적어도 한면이 안쪽으로 형성되어 있는 제1절연체와, 상기 에지형 에미터 상부에 에지형 에미터와 같은 크기로 평행하게 형성되어 있는 상부 게이트 전극과, 상기 상부 게이트 전극 또는 에지형 에미터의 모서리보다 적어도 한면이 안쪽으로 형성되어 있는 제2절연체와, 상기 하부 게이트 전극이 형성되어 있지 않은 노출된 기판상에 상기 하부 게이트 전극과 일정한 간격을 두고 형성되어 있는 보조 전극을 포함하는 에지형 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판과, 상기 하부기판상에 형성되어 공간을 일정하게 유지시켜주는 다수의 스페이서와, 상기 스페이서 상부에 부착되고 에노드 전극과 형광체와 휘도향상층이 순차적으로 형성되어 있는 상부기판을 포함하는 액정 디스플레이용 배면광원
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제1항에 있어서, 상기 하부 게이트 전극, 에지형 에미터 또는 상부 게이트 전극은 2차원의 어레이 형태인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원
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제1항에 있어서, 상기 보조 전극은 상기 에지형 에미터에서 방출하는 전자를 기판에 수직방향으로 방사하게 하기 위하여 2차원의 어레이 형태인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원
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기판상에 하부 게이트전극과 제1절연체, 에미터를 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 에미터 상부에 제2절 연체와 상부 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 상부 게이트전극 상부에 레지스트를 증착한 후 소정부분에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴이외의 노출된 상부 게이트전극, 제2절연체,에미터, 제1절연체, 하부게이트전극을 순차적으로 식각하여 기판이 노출되도록 하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계와 상기 노출된 기판과 상부 게이트전극 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층을 사진식각 공정으로 소정부분을 식각하여 상부 하부 게이트전극과 일정한 거리를 두고 기판을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 기판과 포토레지스트층 상부에 보조 전극을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층과 포토레지스트층 상부의 보조전극을 리프트오프 공정으로 제거하는 단계와, 상기 제1절연체층과 제2절연체층의 모서리를 상기 에미터 또는 게이트 전극의 모서리보다 적어도 한쪽면이 안쪽으로 형성되도록 식각하는단계를 포함하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 상부 또는 하부 게이트전극 티타늄 또는 팅스텐으로 2000-3000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 에미터는 티타늄, 팅스텐 또는 티타늄·팅스텐합금으로 200-300Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 또는 제2절연체는 산화실리콘물 또는 질화실리콘물로 2500-3500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 상부게이트 전극 상부의 레지스트는 포토레지스트 또는 전자빔 레지스트린 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법
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