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폐실리콘의 슬러지를 용매에 분산시키는 고형분 분산 단계;상기 용매에 분산시킨 폐실리콘의 슬러지를 고체와 액체로 분리하는 고액분리 단계; 및상기 고액분리 단계에서 분리된 고형분을 건조시키는 건조 단계; 를 포함하는 웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 고형분 분산 단계에서 슬러지에 투입되는 용매는 탈 이온수인웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 탈 이온수의 양은 상기 폐실리콘의 슬러지 무게 대비 5배 이상인웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 2에 있어서,상기 탈 이온수는 물, 에탄올, 아세톤 중 적어도 하나인웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 고형분 분산 단계는물리적 교반 장치 또는 초음파 발생 장치를 통해 교반 또는 진동시키는 것을 포함하는웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 고형분 고액분리 단계는원심분리기, 부흐너 깔대기 또는 필터 중 적어도 하나 이상을 통해 실행되는웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 고액분리 단계에서 분리된 고형분을 표면 처리하고 불순물을 제거하는 고순도화 단계를 더 포함하는웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 7에 있어서,상기 고순도화 단계는상기 고액분리 단계에서 분리된 고형분을 산성 용매에 투입하고, 이후 고형분과 산성 용매를 고액분리한 다음 탈 이온수로 중성화시키는 것을 포함하는웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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청구항 8에 있어서,상기 산성 용매는 염산(Hydrochloric acid), 황산(Sulfuric acid), 질산 (Nitric acid) 중 하나이고,상기 산성 용매는 탈 이온수와 1~5% 비율로 희석되는웨이퍼 백그라인딩 폐실리콘의 재처리 방법
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