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액정표시소자용 고분자 배향막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015165887
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 중합법을 이용하며 프리틸트 각도의 조정이 용이한 액정표시소자용 고분자 배향막의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 투명 전극이 코팅된 기판 위에 디안하이드리드 화합물과 디아조 화합물을 동일 속도로 기화시켜 함께 1차 진공증착시키고 이어서 상기 두 화합물과 하기 화학식 1의 화합물을 기화 속도를 조절하면서 함께 2차 진공증착시킨 다음 증착된 고분자 막을 열처리 및 노광시켜 고분자 배향막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 따르면, 다양한 형태의 기판 위에 고분자 배향막을 고순도 및 고밀도로 제조할 수 있고, 막의 두께 조절이 용이할 뿐만 아니라, 단량체 사용량의 조절 또는 기판의 온도 조정을 통해 프리틸트각을 쉽게 조정할 수 있다.상기식에서, R은 (CH2)15CH3 이다.
Int. CL G02F 1/1337 (2006.01)
CPC G02F 1/133788(2013.01) G02F 1/133788(2013.01) G02F 1/133788(2013.01) G02F 1/133788(2013.01)
출원번호/일자 1019970077044 (1997.12.29)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자 10-0260627-0000 (2000.04.10)
공개번호/일자 10-1999-0057008 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최동권 대한민국 경기도 과천시
2 장세흠 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 사단법인 고등기술연구원 연구조합 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0238632-80
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0238631-34
3 특허출원서
Patent Application		 1997.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0238630-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005575-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009778-48
6 등록사정서
Decision to grant		 2000.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0004331-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2000-0063305-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2000-0066277-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105550-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105415-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5123887-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5049999-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-5092832-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0054125-21
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5041626-28
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
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번호 청구항
1 1

투명 전극이 코팅된 기판 위에 디안하이드리드 화합물과 디아조 화합물을 동일 속도로 기화시켜 함께 1차 진공증착시키고 이어서 상기 두 화합물과 하기 화학식 1의 화합물을 기화 속도를 조절하면서 함께 2차 진공증착시킨 다음 증착된 고분자 막을 열처리 및 노광시켜 고분자 배향막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 액정표시소자용 고분자 배향막의 제조 방법:

화학식 1

2

제 1 항에 있어서,

상기 디아조 화합물이 하기 화학식 2 내지 4의 화합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 디안하이드리드 화합물이 하기 화학식 5 내지 12의 화합물들 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 1차 및 2차 증착을 30 내지 90 ℃ 범위의 기판 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 디안하이드리드 화합물이 상기 화학식 5의 화합물이고 상기 디아조 화합물이 상기 화학식 4의 화합물이며, 이들 화합물을 각각 280 ℃ 및 190 ℃에서 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.