맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

열안정성이우수한유기발광소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015166188
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광소자(Organic Light-Emitting Device)의 제조방법에 관한 것으로, 진공증착중합(Vacuum Deposition Polymerization)법을 사용하여 ITO(양극 투명전극) 기판위에 디안하이드라이드 화합물, 디아민 화합물 및 유기발광물질을 0.1 내지 0.2Å/sec의 증착속도 및 1:1:1의 증착비가 되도록 동시에 기화시켜 유기발광물질이 분산된 고분자를 단일층으로 증착시키고 열이미드화시킨 후, 형성된 유기발광층위에 금속전극(음극)층을 증착함으로써 열안정성 및 효율이 우수한 유기발광소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01) H01L 51/001(2013.01)
출원번호/일자 1019980007040 (1998.03.04)
출원인 고등기술연구원연구조합
등록번호/일자 10-0274319-0000 (2000.09.08)
공개번호/일자 10-1999-0073846 (1999.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.03.04)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고등기술연구원연구조합 대한민국 경기도 용인시 처인구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최동권 대한민국 경기도 과천시
2 이재경 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김영규 대한민국 부산광역시 사상구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 사단법인 고등기술연구원 연구조합 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0022387-78
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0022389-69
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1998-0022388-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005575-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0009778-48
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0067866-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2000-0063305-60
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5141180-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2000-0066277-94
10 의견서
Written Opinion		 2000.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-5141179-02
11 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0135257-87
12 FD제출서
FD Submission		 2000.09.08 수리 (Accepted) 2-1-2000-5144644-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105415-35
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2004-5105550-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2007-5123887-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5049999-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-5092832-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5041626-28
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0054125-21
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5177074-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공증착중합(Vacuum Deposition Polymerization)법을 사용하여 ITO(양극 투명전극) 기판위에 디안하이드라이드 화합물, 디아민 화합물 및 유기발광물질을 0

2 2

제 1 항에 있어서,

유기발광물질이 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(4-디메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM), 트리스(8-히드로퀴놀리나토)알루미늄(Alq3) 및 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠(비스-MSB)중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

디안하이드라이드 화합물이 피로멜리틱 디안하이드라이드(PMDA), 3,4,3',4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드(BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드(BTDA), 4,4'-(헥사플루오로프로필리덴)디프탈릭 안하이드라이드(6F-DA), 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실릭 디안하이드라이드, 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드, 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카복실릭 디안하이드라이드, 비사이클로[2

4 4

제 1 항에 있어서,

디아민 화합물이 4,4'-옥시디아닐린(ODA), PDA, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르(4,4'-DDE), 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄(DDM), 3,3'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설폰(DDS), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, α,α'-비스(4-아미노페닐)-1,4-디이소프로필벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 4,4-비스(아미노사이클로헥실)메탄, 4,4'-비스(2-클로로아닐리노)메탄, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노비벤질, 2,2-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(m-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-메틸렌-비스-o-톨루이딘, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐 및 4,4'-디아미노옥타플루오로페닐중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

진공 오븐에서 170℃에서 40분동안 열이미드화시키는 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP11199864 JP 일본 FAMILY
2 KR100263753 KR 대한민국 FAMILY
3 KR100263758 KR 대한민국 FAMILY
4 KR100282023 KR 대한민국 FAMILY
5 KR100292830 KR 대한민국 FAMILY
6 US06379743 US 미국 FAMILY
7 US20010005528 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP11199864 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH11199864 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2001005528 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US6379743 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.