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ＺｎＯ 나노입자를 이용한 유기발광다이오드 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015166462
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드에 관한 것으로, 광특성을 향상시키는 광특성증진막을 ZnO나노입자로 형성시키는 기술 및 이에 따른 유기발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, ZnO 나노 입자로 형성되는 광특성 증진박막을 OLED 내에 구비시켜 광굴절을 이용한 광출사량의 향상과 내부반사를 줄여 광특성이 줄어드는 것을 방지할 수 있도록 하며, 특히 광특성 증진박막을 구성하는 ZnO 나노입자를 용매에 녹여 용액상태로 스프레이방식이나 스핀코팅 방식으로 박막을 형성함으로써, 박막 제조공정을 간소화하여 생산성을 향상시키는 효과가 있다. 유기발광다이오드, ZnO 나노입자
Int. CL H01L 51/50 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01) H05B 33/14 (2011.01)
CPC H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01)
출원번호/일자 1020080072161 (2008.07.24)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0011102 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장 진 대한민국 서울 서초구
2 권장혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 박태진 대한민국 서울특별시 동대문구
4 전우식 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0532453-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0042923-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0444110-76
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0807470-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0061326-70
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0151950-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
기판의 상부에 애노드(anode) 전극과 유기발광층, 캐소드(acthod) 전극을 구비한 유기발광다이오드(OLED)에 있어서, 광효율 특성을 향상시키는 ZnO 나노입자(ZnO nano particle)로 이루어진 광효율증진박막층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 광효율증진박막층은 상기 기판의 윗면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 광효율증진박막층은 상기 애노드 전극의 상부면에 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 광효율증진박막층은 상기 캐소드 전극의 상부면에 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 OLED는 투명 보호층(Passivation)층을 더 포함하되, 상기 광효율 증진 박막은 상기 투명보호층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
6 6
기판의 상부에 애노드(anode) 전극과 유기발광층, 캐소드(acthod) 전극을 구비한 유기발광다이오드(OLED)에 있어서, 광 효율특성을 향상시키는 ZnO 나노입자(ZnO nano particle)로 이루어진 광효율증진박막층을 형성시키되, 상기 광효율증직박막층을 용액상태로 형성하여 스프레이 방법 또는 스핀코팅 방법에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.