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무분극성 질화갈륨 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166519
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무분극성 질화갈륨 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체 제조장치에 장착되는 기판으로 r-방향 사파이어 기판을 사용하고, 상기 r-방향 사파이어 기판 상부에 별도의 마스크를 형성하지 않고 Ga 원소와 반응가스들에 의해 상기 기판에 상부에서 자발적 측면 과성장하도록 할 수 있는 패턴형식의 무분극성 질화갈륨 박막 제조방법을 제공한다. 마스크(Mask), 자발적 측면 과성장(spontaneous lateral overgrowth), 양자한정 스타크 효과(Quantum confined stark effect)
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020080009504 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0083604 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 최혁민 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078068-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0424834-63
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435092-49
5 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076853-05
6 보정요구서
Request for Amendment
2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0076852-59
7 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation
2008.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0091921-19
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0046935-08
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0363716-01
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0461131-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
질화갈륨 박막을 제조하는 장치를 이용하여 기판 상부에 질화갈륨 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 기판은 성장하는 질화갈륨의 측면과성장을 유도하기 위한 r-방향 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 무극성 질화갈륨 박막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨을 성장하는 방법은 하이드라이드 베이퍼 페이즈 에피탁시(Hydride Vapor Phase Epitaxy;HVPE)법인 것을 특징으로 하는 무극성 질화갈륨 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터