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인광 유기발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166564
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인광 유기 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판상에 형성되는 애노드전극과 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드에 있어서, 기판상에 형성되는 애노드전극과 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드에 있어서, 순차로 형성되는 P-type 도펀트가 도핑된 제1 정공수송층(P-HTL)과 제2 정공수송층(HTL); 상기 제2 정공수송층상에 형성되는 적어도 1이상의 발광층(EML); 상기 발광층(EML)상에 순차로 형성되는 제1 전자수송층(ETL)과 N-type 도펀트가 도핑된 제2 전자수송층(N-ETL)을 포함하여 이루어지되, 상기 발광층(EML)의 구조를 양자우물구조로 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, PIN 구조를 구비하는 인광 유기발광다이오드에 있어서, 전자주입 및 수송층과 발광층, 전공주입 및 수송층과 발광층을 동일한 유기재료를 사용하여 형성함으로써, 에너지 장벽으로 인한 특성감소를 줄일 수 있으며, 동일한 물질을 계속적으로 사용하기 때문에 공정이 간소해 지며, 제조단가가 낮아지는 효율성을 제공할 수 있는 효과가 있다. 인광, 유기 발광다이오드, 도펀트
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020080103274 (2008.10.21)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0043994 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권장혁 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 장진 대한민국 서울특별시 서초구
3 박태진 대한민국 서울특별시 동대문구
4 전우식 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0730852-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004396-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0375135-23
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0693279-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0775456-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0856859-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0856836-78
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0305760-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 애노드전극과 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드 에 있어서, 순차로 형성되는 P-type 도펀트가 도핑된 제1 정공수송층(P-HTL)과 제2 정공수송층(HTL); 상기 제2 정공수송층상에 형성되는 적어도 1이상의 발광층(EML); 상기 발광층(EML)상에 순차로 형성되는 제1 전자수송층(ETL)과 N-type 도펀트가 도핑된 제2 전자수송층(N-ETL)을 포함하여 이루어지되, 상기 발광층(EML)의 구조를 양자우물구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 발광층(EML)의 밴드갭은 상기 제2 정공수송층(HTL) 또는 제1 전자수송층(ETL)에 비해 좁은 것을 특징으로 하는 인광유기발광다이오드
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 발광층(EML)의 적어도 어느 하나는 트리플렛 에너지(triplet energy)가 상기 제2 정공수송층(HTL) 또는 제1 전자수송층(ETL)의 트리플렛 에너지 보다 작은 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
4 4
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 정공수송층의 호스트(HOST)물질은 동일한 제1유기물질을 사용하며, 상기 제1 및 제2 전자수송층의 호스트(HSOT) 물질은 동일한 제2유기물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 발광층(EML)은 제1 유기물질 또는 제2 유기물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 발광층(EML)은 상기 제1 및 제2 정공수송층의 호스트(HOST)물질과 동일한 재료 형성되는 제1 발광층(EML1)과, 상기 제1 및 제2 전자수송층의 호스트(HSOT) 물질로 형성되는 제2 발광층(EML2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 인광 유기 발광다이오드
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 양자우물 구조를 가지는 발광층(EML)은 단일발광층 구조이거나 다층발광층 구조 또는 혼합(Mixture)발광층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 인광 유기 발광당오드
8 8
기판상에 애노드 전극과 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광다이오드의 제조방법에 있어서, 애노드 전극 상에 P-type 도펀트가 도핑된 정공수송층을 포함하는 제1 유기박막층을 형성하는 1단계; 상기 제1 유기박막층의 상부에 적어도 1이상의 발광층을 형성시키는 2단계; 상기 발광층 상에 N-type 도펀트가 도핑된 전자수송층을 포함하는 제2유기 박막층을 형성시키는 3단계; 상기 제2 유기박막층 상에 캐소드 전극을 형성시키는 4단계를 포함하여 이루어지되, 상기 발광층은 양자우물구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 발광층의 밴드갭은 상기 제1유기박막층 또는 제2유기박막층에 비해 좁게 형성하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 발광층의 적어도 어느 하나의 트리플렛 에너지(triplet energy)가 제1유기박막층 또는 제2유기박막층에 비해 좁게 형성하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드의 제조방법
11 11
청구항 8 내지 10중 어느 한 항에 있어서, 상기 2단계는 발광층과 인접하는 유기박막층을 동일한 유기물질로 형성시키는 것을 특징으로 하는 인광 유기 발광다이오드의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 각각의 유기박막층과 발광층은 진공증착 방법이나 스프레이 방법, 또는 스핀코팅 방법을 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 인광 유기 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.