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표면의 접촉각이 75도 이상인 기재층; 및 상기 기재층의 접촉각이 75도 이상인 표면과 접하여 형성되어 있으며, X선 회절 분석 패턴에서 (222)면 또는 (400)면에서 피크를 가지고, 산화 인듐을 포함하는 증착층인 도전성층을 포함하는 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, (222)면에서의 피크의 강도가 100 AU 이상인 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, (400)면에서의 피크의 강도가 100 AU 이상인 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, 기재층의 표면의 접촉각은 80도 이상인 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, 도전성층은 가시광 영역 내의 적어도 한 파장에 대한 광투과율이 80% 이상인 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, 도전성층은 산화 인듐 85 내지 95 중량부 및 산화 주석 5 내지 15 중량부를 포함하는 도전성 필름
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제 1 항에 있어서, 기재층은 플라스틱 기재층인 도전성 필름
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접촉각이 75도 이상인 기재 표면에 증착 방식으로 산화 인듐을 포함하는 도전성층을 형성하는 것을 포함하는 도전성 필름의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 접촉각이 75도 이상인 표면은, 20W 내지 50W의 전력으로 산소 플라즈마 처리가 수행된 기재층의 표면인 도전성 필름의 제조 방법
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13
제 11 항에 있어서, 접촉각이 75도 이상인 표면은, 40 eV 내지 80 eV의 이온빔 에너지로 이온빔 처리가 수행된 기재층의 표면인 도전성 필름의 제조 방법
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제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 기재층은 플라스틱 기재층인 도전성 필름의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 이온빔 처리가 수행된 기재층에 도전성층을 형성하고, 상기 도전성층에 이온빔 처리를 수행하는 것을 추가로 포함하는 방법
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16
제 15 항에 있어서, 이온빔 처리가 수행된 도전성층상에 도전성층을 추가로 형성하고, 추가로 형성된 도전성층에 이온빔 처리를 수행하는 것을 추가로 포함하는 방법
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제 16 항에 있어서, 도전성층의 형성 및 형성된 도전성층으로의 이온빔 처리를 10회 내지 40회 반복하는 방법
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18
제 13 항에 있어서, 기재층에 대한 이온빔의 처리를 70℃ 내지 200℃의 온도에서 수행하는 방법
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제 18 항에 있어서, 70℃ 내지 200℃의 온도에서 이온빔 처리가 수행된 기재층을 70℃ 내지 200℃에서 유지한 상태로 도전성층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조 방법
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