| 1 |
1
고분자 발광 다이오드에 있어서,유리 기판 위에 형성된 양극층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 정공주입층과;상기 정공주입층 상에 자기조립막 처리를 통해 형성되는 층간절연층과;상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 발광고분자층과;상기 발광고분자층에 형성되는 전자주입층 및 상기 전자주입층 상에 형성되는 음극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 2 |
2
고분자 발광 다이오드에 있어서,유리 기판 위에 형성된 양극층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 정공수송층과;상기 정공수송층 상에 자기조립막 처리를 통해 형성되는 층간절연층과;상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 발광고분자층과;상기 발광고분자층에 형성되는 전자주입층 및 상기 전자주입층 상에 형성되는 음극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 3 |
3
고분자 발광 다이오드에 있어서,유리 기판 위에 형성된 양극층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 정공주입층과;상기 정공주입층 상에 자기조립막 처리를 통해 형성되는 층간절연층과;상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 정공수송층과;상기 정공수송층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성되는 발광고분자층과;상기 발광고분자층에 형성되는 전자주입층 및 상기 전자주입층 상에 형성되는 음극층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 정공주입층과 상기 층간절연층 사이에 정공수송층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 5 |
5
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간절연층은 유기물인 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 유기물은 OTS(octadecyltrichlorosilane)인 것을 특징으로 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
고분자 발광다이오드 제조 방법에 있어서,유리 기판 상에 형성되는 양극층 위에 정공주입층을 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 자기조립막(SAM) 처리하여 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 발광고분자층을 형성하는 단계;상기 발광고분자층에 순차적으로 전자주입층과 음극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 9 |
9
고분자 발광다이오드 제조 방법에 있어서,유리 기판 상에 형성되는 양극층 위에 정공수송층을 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 자기조립막(SAM) 처리하여 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 발광고분자층을 형성하는 단계;상기 발광고분자층에 순차적으로 전자주입층과 음극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 10 |
10
고분자 발광다이오드 제조 방법에 있어서,유리 기판 상에 형성되는 양극층 위에 정공주입층을 코팅 또는 프린팅에 의하여 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 자기조립막(SAM) 처리하여 층간절연층을 형성하는 단계; 상기 층간절연층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 코팅 또는 프린팅에 의하여 발광고분자층을 형성하는 단계;상기 발광고분자층에 순차적으로 전자주입층과 음극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 정공주입층 상에 층간절연층을 형성하기 전에 코팅 또는 프린팅에 의하여 정공수송층 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,상기 층간절연층은 단층(monolayer)으로 형성되되, OTS(octadecyltrichlorosilane) 용액을 이용하여 자기조립막(SAM) 처리되는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 14 |
14
청구항 13에 있어서,상기 OTS 용액의 농도는 10 ~ 100 mM 범위인 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 15 |
15
청구항 13에 있어서,상기 층간절연층은 0
|
| 16 |
16
청구항 13에 있어서,상기 층간절연층에는 산소 또는 탄소가 포함되는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 13에 있어서,상기 층간절연층은 적어도 두층 이상으로 형성되되, OST(octadecyltrichlorosilane) 용액만을 이용하거나 또는 상기 OST(octadecyltrichlorosilane) 용액 및 자기조립막(SAM) 처리가 가능한 다른 용액을 이용하여 적어도 두번 이상 자기조립막(SAM) 처리되는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 17에 있어서,상기 OTS 용액 또는 자기조립막(SAM) 처리가 가능한 다른 용액의 농도는 10 ~ 100 mM 범위인 것을 특징으로 하는 자기조립막 처리를 통해 형성되는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
| 19 |
19
청구항 17에 있어서,상기 층간절연층은 0
|
| 20 |
20
청구항 17에 있어서,상기 층간절연층에는 산소 또는 탄소가 포함되는 것을 특징으로 하는 층간절연층을 구비한 고분자 발광다이오드 제조방법
|
