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유기 전자 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166776
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액공정을 이용하여 정공수송층으로써 그라펜옥사이드층 과 NiOx층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전자 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 에너지 변환효율이 향상된 유기 전자 소자를 제공할 수 있는 효과 및 유기 전자 소자의 제조공정 효율성 향상효과를 갖게 된다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020110091116 (2011.09.08)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0027725 (2013.03.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.08)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 류미선 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0702662-43
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980684-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041226-77
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0765133-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0142716-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0142715-64
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0427323-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0758819-39
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0758820-86
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0853654-01
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.01.09 수리 (Accepted) 7-1-2014-0000893-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 그라펜옥사이드와 NiOx 중 적어도 어느 하나를 포함하는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되는 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 유기 전자 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 정공수송층은,상기 하부 전극상에 형성되는 그라펜옥사이드층;상기 그라펜옥사이드층 상에 형성되는 NiOx층;을 포함하는 유기 전자 소자
3 3
청구항 1에 있어서,상기 정공수송층은,상기 하부 전극상에 형성되는 NiOx층;상기 NiOx층 상에 형성되는 그라펜옥사이드층;을 포함하는 유기 전자 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 정공수송층은,NiOx층 또는 그라펜옥사이드층으로 이루어지는 유기 전자 소자
5 5
청구항 2 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 NiOx층은,용액공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
6 6
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 전극은,TCO(Transparent conducting oxide)전극인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
7 7
청구항 6에 있어서,상기 하부 전극은,ITO(Indium Tin oxide)전극인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
8 8
청구항 2 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 그라펜옥사이드층의 두께는, 0
9 9
청구항 2 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 NiOx층의 두께는, 0
10 10
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 광활성층은,전자주게 물질 및 전자받게 물질을 포함하여 형성되는 유기 전자 소자
11 11
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,연성(Flexible)기판인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
12 12
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 적어도 어느 하나는 인버티드 전극 구조로 이루어지는 유기 전자 소자
13 13
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 전극은,일함수가 4 내지 6eV인 금속전극으로 이루어지는 유기 전자 소자
14 14
청구항 13에 있어서,상기 상부 전극은,LiF와 Al이 순차형성된 구조, Ca와 Al이 순차형성된 구조, Ca와 Ag가 순차형성된 구조, Mg와 Al이 순차형성된 구조 중 적어도 어느 하나의 구조로 이루어진 유기 전자 소자
15 15
청구항 13에 있어서,상기 상부 전극은,Al, Ag, Au, Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 유기 전자 소자
16 16
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 전극상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 유기 전자 소자
17 17
기판상에 하부 전극을 형성하는 하부전극 형성단계;용액공정을 통해 상기 하부 전극 상에 그라펜옥사이드와 NiOx 중 적어도 어느 하나를 포함한 정공수송층을 형성하는 정공수송층 형성단계;상기 정공수송층 상에 광활성층을 형성하는 광활성층 형성단계;상기 광활성층 상에 진공 증착을 통해 상부 전극을 형성하는 상부전극 형성단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 제조방법
18 18
청구항 17에 있어서,상기 정공수송층 형성단계는,상기 하부 전극상에 그라펜옥사이드를 스핀코팅하여 그라펜옥사이드층을 형성하는 단계;상기 그라펜옥사이드층 상에 NiOx를 스핀코팅하여 NiOx층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 유기 전자 소자 제조방법
19 19
청구항 17에 있어서,상기 정공수송층 형성단계는,상기 하부 전극상에 NiOx를 스핀코팅하여 NiOx층을 형성하는 단계;상기 NiOx층 상에 그라펜옥사이드를 스핀코팅하여 그라펜옥사이드층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 유기 전자 소자 제조방법
20 20
청구항 17에 있어서,상기 정공수송층 형성단계는,상기 하부 전극상에 NiOx 또는 그라펜옥사이드를 스핀코팅하는 단계;를 포함하여 이루어지는 유기 전자 소자 제조방법
21 21
청구항 17 내지 20 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부전극은,TCO(Transparent conducting oxide) 전극인 것을 특징으로 하는 유기 박막 태양전지 제조 방법
22 22
청구항 17 내지 20 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부전극 형성단계 이후에,상기 상부 전극 상에 소자 보호를 위한 패시베이션(Passivation)층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 유기 전자 소자 제조 방법
23 23
청구항 17 내지 20 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,연성(Flexible)기판인 유기 전자 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경희대학교 산학협력단 나노원천기술개발사업 플라즈마 화학기상증착 방법에 의한 나노 실리콘 태양전지 소재 연구