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챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 변환하여 피처리 기판을 에칭(Etching)하는 플라즈마 에칭 장치에 있어서,상기 챔버 내의 가스를 플라즈마로 변환시키는 플라즈마 주파수를 생성하는 주파수 생성부;상기 생성된 상기 플라즈마 주파수에 의해 진동하여 상기 챔버 내부의 가스 중에서 인접한 가스를 플라즈마 상태로 변환시키는 AFM(Atomic Force Microscpoe, AFM) 팁; 및상기 AFM 팁과 상기 피처리 기판에 서로 다른 극성의 전원을 인가하여 상기 AFM 팁에 인접한 상기 플라즈마를 상기 피처리 기판으로 이동시켜 상기 피처리 기판을 에칭시키는 전원 공급부; 를 포함하는 국소 플라즈마 에칭 장치
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제 1항에 있어서,상기 챔버 내의 가스는 상기 피처리 기판의 종류 및 가공 목적에 따라 선택된 소정의 가스인 것을 특징으로 하는 국소 플라즈마 에칭 장치
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제 1항에 있어서,상기 AFM 팁은,바 형태 또는 외팔보 형태를 가지며, 상기 생성된 플라즈마 주파수에 기초하여 진동하는 캔틸레버(Cantilevar); 및상기 캔틸레버의 피처리 기판을 바라보는 일면 상에 위치하며, 상기 캔틸레버의 진동에 의해 동일한 진동수로 진동하여 인접한 가스를 플라즈마 상태로 변환시키는 탐침;을 포함하는 국소 플라즈마 에칭 장치
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제 3항에 있어서,상기 탐침은 상기 피처리 기판에 직접 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 국소 플라즈마 에칭 장치
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마 상태로 변환되는 가스는 일반 대기 중에 포함된 산소를 이용하는 것을 특징으로 하는 국소 플라즈마 에칭 장치
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챔버 내의 가스를 플라즈마 상태로 변환하여 피처리 기판을 에칭(Etching)하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서,상기 챔버 내의 가스를 플라즈마로 변환시키는 플라즈마 주파수를 생성하는 단계;상기 생성된 플라즈마 주파수에 의해 진동하여 상기 챔버 내부의 가스 중에서 인접한 가스를 플라즈마 상태로 변환시키는 단계;전압강하를 통해 상기 생성된 플라즈마를 상기 피처리 기판으로 이동시키는 단계; 및상기 피처리 기판으로 이동된 플라즈마를 통해 상기 피처리 기판의 표면을 에칭하는 단계;를 포함하는 국소 플라즈마 에칭 방법
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제 6항에 있어서,상기 플라즈마 상태로 변환되는 가스는 일반 대기 중에 포함된 산소를 이용하는 것을 특징으로 하는 국소 플라즈마 에칭 방법
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제 6항에 있어서,상기 챔버 내의 가스는 상기 피처리 기판의 종류 및 가공 목적에 따라 선택된 소정의 가스인 것을 특징으로 하는 국소 플라즈마 에칭 방법
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