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(a) 하부 기판 위에 전도성 물질로 하부 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 하부 전극 위에 압전물질로 이루어지는 복수의 압전물질 나노로드를 기립 상태로 형성하는 단계;(c) 상부 기판의 일면에 복수의 돌기를 포함하는 돌기층을 형성하는 단계;(d) 전도성 물질을 이용하여 상기 돌기층 위에 복수의 요철부를 갖는 상부 전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 상부 전극이 상기 복수의 압전물질 나노로드의 상부 끝단을 향하도록 상기 상부 기판을 상기 복수의 압전물질 나노로드 위에 상하 이동 가능하게 설치하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c-1) 상기 상부 기판의 일면에 복수의 산화아연 시드를 갖는 시드층을 형성하는 단계,(c-2) 상기 시드층이 형성된 상기 상부 기판을 작동 전극(working electrode)에 결합하여 질산아연(zinc nitrate, Zn(NO3)2), 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylene tetramine, (CH2)6N4) 및 염화칼륨(KCL)이 혼합된 성장용액에 침지하고, 상기 작동 전극과 이격되도록 상기 성장용액에 상대 전극(counter electrode)을 침지하는 단계, 및(c-3) 전원공급장치로 상기 작동 전극에 -전압을 가하고 상기 상대 전극에 +전압을 인가하여 상기 성장용액에 전기장를 형성함으로써, 상기 시드층에 복수의 산화아연 나노막대를 성장시켜 상기 복수의 돌기를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 상부 기판의 일면에 상기 복수의 돌기에 대응하는 복수의 실리카 마이크로구를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 (d) 단계는 금속물질을 상기 돌기층 위에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 압전물질 나노로드를 구성하는 상기 압전물질은 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(PZT), 티탄산 바륨(BaTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 비스무스철산화물(BiFeO3), 탄화실리콘(SiC) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 상부 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노발전기의 제조방법
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