맞춤기술찾기

이전대상기술

발광 다이오드 패키지

  • 기술번호 : KST2015166994
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드 패키지를 제공된다. 발광 다이오드 패키지는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층 하부에 배치되는 유전체층을 포함하되, 상기 유전체층은 상대적으로 낮은 굴절률을 가진 제1 유전체층과 상대적으로 높은 굴절률을 가진 제2 유전체층이 교번하여 적층된 다층 구조이고, 상기 활성층과 상기 반사층과의 거리는 mλ/4n이며, 상기 λ은 상기 활성층에서 방출되는 빛의 파장이고, 상기 n은 상기 활성층과 상기 유전체층 사이에 배치된 매질들의 유효 굴절률이며, 상기 m은 자연수이다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130117331 (2013.10.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1521081-0000 (2015.05.12)
공개번호/일자 10-2015-0038933 (2015.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20150518) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.01)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김선경 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0891753-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0053840-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0667573-72
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1165319-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1165337-50
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0192105-55
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0384993-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0384994-63
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0307748-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층;상기 제1 도전형 반도체층 하부에 배치된 투명 전극층; 및상기 투명 전극층 하부에 배치되고, 상대적으로 낮은 굴절률을 가진 제1 유전체층과 상대적으로 높은 굴절률을 가진 제2 유전체층이 교번 적층되어 형성되는 유전체층을 포함하되,상기 유전체층에서 제1 유전체층이 상기 투명 전극층과 접하도록 배치되며,상기 유전체층에서, 투명 전극층과 접하는 제1 유전체층의 두께는 (λ/4ndm)-Δ이고, 상기 유전체층의 나머지 층들의 두께는 (λ/4ndm)이며, 상기 활성층과 상기 유전체층과의 거리는 (mλ/4n)+ Δ(nd/n)이고, 상기 λ은 상기 활성층에서 방출되는 빛의 파장이고, 상기 nd은 상기 제1 유전체층 또는 상기 제2 유전체층 각각의 굴절률이며, 상기 n은 상기 활성층과 상기 유전체층 사이에 배치된 투명 전극층을 포함한 매질들의 유효 굴절률이며, 상기 m은 자연수인 발광 다이오드 패키지
12 12
제11 항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성된 광 추출 패턴을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
13 13
제11 항에 있어서,상기 유전체층 하부에 배치된 금속층을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.